公开(公告)号：CN117794849A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280053825.2

申请日：2022-07-27

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 目崎雄也 ,  户田喜丈 ,  山田耕太 ,  松井直喜 ,  姜珖中 ,  菅野了次

IPC: C01B6/04 ,  C01B6/24 ,  H01B1/06

Abstract: 一种氢负离子导体，通式由式(1)表示，MAMBH4－xFx(1)，其中，MA选自Ca、Sr和Ba，MB选自Mg和Ca且与MA不同，0＜x＜4。

公开(公告)号：CN119923374A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380066941.2

申请日：2023-09-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 铃木咪悠璃 ,  山田耕太 ,  寺谷拓也 ,  伊藤和弘

IPC: C03C8/08

Abstract: 一种玻璃料，具有锂(Li)、元素M、磷(P)和氧(O)，并且具有硼(B)和硅(Si)中的至少一种，上述元素M包含选自锆(Zr)、铪(Hf)、锡(Sn)、钐(Sm)、铌(Nb)、钽(Ta)、钨(W)和钼(Mo)中的至少一种，该玻璃料包含种晶。

公开(公告)号：CN119894840A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380067003.4

申请日：2023-09-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 铃木咪悠璃 ,  山田耕太 ,  伊藤和弘 ,  寺谷拓也

IPC: C03C10/04 ,  H01B1/06 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M4/62

Abstract: 本发明提供一种微晶玻璃，具有锂(Li)、元素M、磷(P)和氧(O)、以及选自硼(B)和硅(Si)中的至少一种，上述元素M含有选自锆(Zr)、铪(Hf)、锡(Sn)、钐(Sm)、铌(Nb)、钽(Ta)、钨(W)和钼(Mo)中的至少一种，在该微晶玻璃的X射线衍射图中，在2θ＝20°～30°的范围产生的最大峰来自单斜晶型结构，上述最大峰的半峰宽为0.10゜以上。

公开(公告)号：CN117836237A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280053812.5

申请日：2022-07-27

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 户田喜丈 ,  目崎雄也 ,  山田耕太 ,  松井直喜 ,  姜珖中 ,  菅野了次

IPC: C01B6/04 ,  C04B35/00 ,  H01M10/0562

Abstract: 一种氢负离子导体，通式由式(1)表示，Ba2－x－mAxMg1－y－nByH6－x－y－2m－2n (1)，其中，A和B分别选自Li、Na、K、Rb和Cs中至少1种以上，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.2，0≤n≤0.2，其中不包括x＝y＝m＝n＝0。