微孔膜及其制备方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1105594C

    公开(公告)日:2003-04-16

    申请号:CN98812632.X

    申请日:1998-11-16

    Abstract: 一种制备微孔膜的方法,其包括:将一种聚合物在该聚合物熔点+10℃至聚合物熔点+100℃的温度下挤出;将挤出后的聚合物在10-150℃下以5-120米/分的速率拉伸制成聚合物膜;将该聚合物膜在聚合物熔点-100℃至聚合物熔点-5℃的温度下退火10秒至1小时;用能量为10-2~107Kev的离子粒以102~1020个离子/cm2的量、在真空度为10-2~10-8毫米汞柱下辐照聚合物膜的一个或两个表面,辐照距离为5~100cm;在-20℃至聚合物熔点-40℃的温度下对聚合物膜进行冷拉伸;在聚合物熔点-40℃至聚合物熔点-5℃的温度下对聚合物膜进行热拉伸;且在聚合物熔点-80℃至聚合物熔点-5℃的温度下对聚合物膜进行热定形;其中上述步骤的次序可相互调换。

    微孔膜及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1283134A

    公开(公告)日:2001-02-07

    申请号:CN98812632.X

    申请日:1998-11-16

    Abstract: 一种制备微孔膜的方法,其包括:将一种聚合物在该聚合物熔点+10℃至聚合物熔点+100℃的温度下挤出;将挤出后的聚合物在10-150℃下以5-120米/分的速率拉伸制成聚合物膜:将该聚合物膜在聚合物熔点-100℃至聚合物熔点-5℃的温度下退火10秒至1小时;用能量为10-2~107Kev的离子粒以102~1020个离子/cm2的量、在真空度为10-2~10-8毫米汞柱下辐照经退火的聚合物膜的两个表面,辐照距离为5~100cm;在-20℃至聚合物熔点-40℃的温度下对辐照后的聚合物膜进行冷拉伸;在聚合物熔点-40℃至聚合物熔点-5℃的温度下对经冷拉伸后的薄膜进行热拉伸;且在聚合物熔点-80℃至聚合物熔点-5℃的温度下对热拉伸后的聚合物膜进行热定形。

    改性聚合物表面以改善其润湿性的方法

    公开(公告)号:CN1289267A

    公开(公告)日:2001-03-28

    申请号:CN99802617.4

    申请日:1999-05-15

    Abstract: 本发明涉及一种改性聚合物表面的方法,特别是一种通过改性聚合物材料或聚合物薄膜的表面以使其具有亲水性或者增强其疏水性的方法。本发明是一种在真空条件下通过赋能离子的照射来改性聚合物薄膜表面的方法。该方法包括以下步骤:a)制备一种具有活化表面的聚合物薄膜,该薄膜是通过放入真空室中,并且在高真空条件下,用离子束向薄膜表面照射赋能离子而制得的;和b)制备一种用反应性气体对其表面进行处理的聚合物薄膜,该聚合物薄膜具有上述步骤a)中的活化表面,其是经过赋能离子照射之后,再注入反应性气体而制得的。本发明中的方法可以改性聚合物薄膜的表面,以实现使其具有亲水性或疏水性的目的,而不会劣化聚合物薄膜的机械性能。另外,由于此聚合物薄膜的表面改性是一项不需要使用溶剂的相当简单的技术,所以它也可以提供一个改良的工作环境,并非常适用于大批量的生产工艺。

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