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公开(公告)号：CN101821806A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111460.4
申请日：2008-10-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/254 , G11B7/24056 , G11B2007/25411 , G11B2007/25417
Abstract: 本发明公开了一种记录介质及其制造方法。更具体而言，公开了一种具有高密度和高能量传递效率的记录介质及其制造方法。所述记录介质包含衬底、在衬底上形成的记录层、在记录层上形成的具有第一硬度的第一覆盖层以及布置在第一覆盖层上的具有第二硬度的第二覆盖层。
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