公开(公告)号：CN103325860A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310086279.5

申请日：2013-03-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金基修 ,  尹银彗 ,  黄有珠 ,  李永贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。

公开(公告)号：CN103325860B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310086279.5

申请日：2013-03-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金基修 ,  尹银彗 ,  黄有珠 ,  李永贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。