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公开(公告)号：CN114079085A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110894696.7
申请日：2021-08-05
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/052
Abstract: 根据示例性实施方案的锂二次电池用电解液可以包含：有机溶剂；锂盐；和添加剂，其包含具有特定范围的重均分子量的聚亚烷基二醇二烷基醚基化合物。
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公开(公告)号：CN119156727A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380041535.0
申请日：2023-05-11
IPC: H01M10/0567 , H01M10/052
Abstract: 根据示例性的实施方案，可以提供一种锂二次电池用电解液，所述锂二次电池用电解液包含：添加剂，所述添加剂包含由特定化学式表示的化合物；有机溶剂；以及锂盐。因此，包含所述锂二次电池用电解液的锂二次电池可以提供优异的高温特性和其它性能(例如，初始电阻、快速充电性能、常温容量特性等)。
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公开(公告)号：CN111100641B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201911016141.1
申请日：2019-10-24
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1]其中，R1‑R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1‑C20烃基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1‑C20‑烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。
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公开(公告)号：CN113497272A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110340195.4
申请日：2021-03-30
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0566 , H01M10/42 , H01M10/052
Abstract: 根据本发明实施方案的非水电解液包括非水有机溶剂、锂盐和具有预定化学结构的膦酸酯基添加剂。可以通过膦酸酯基添加剂抑制正极活性物质的表面损伤和副反应。根据本发明的实施方案，提供了一种包括非水电解液的锂二次电池。
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公开(公告)号：CN106565952B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201610557190.6
申请日：2016-07-14
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于半导体和显示器制造工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性、平坦化特性和优异的耐热性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106565952A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610557190.6
申请日：2016-07-14
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于半导体和显示器制造工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性、平坦化特性和优异的耐热性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN110527511B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910422918.8
申请日：2019-05-21
IPC: C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/311 , C07F7/18 , C07F9/6596
Abstract: 一种蚀刻剂组合物，其包括由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中R1‑R6独立地为氢、卤素、取代或未取代的C1‑C20烃基、苯基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、磷酰基或氰基，L为直接键或C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。
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公开(公告)号：CN114583269A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111337783.9
申请日：2021-11-12
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/058 , H01M10/052 , H01M10/42
Abstract: 一种用于锂二次电池的电解液，其包括有机溶剂、锂盐、添加剂和辅助添加剂，所述添加剂包括由化学式1或化学式2表示的异硫氰酸酯基化合物中的至少一种，所述辅助添加剂包括含氟碳酸酯基化合物、磷酸锂基化合物、磺内酯基化合物或硫酸酯基化合物中的至少一种。本发明还提供了包括该电解液的锂二次电池。
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公开(公告)号：CN111100640B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911017313.7
申请日：2019-10-24
Abstract: 本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法，所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂，所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物：[式1]
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公开(公告)号：CN106432711B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610551869.4
申请日：2016-07-13
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于制造半导体和显示器工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性和平坦化特性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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