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公开(公告)号：CN112011341B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202010482104.6
申请日：2020-05-29
IPC: C09K13/06 , H01L21/311 , C07F7/18
Abstract: 一种蚀刻组合物，其包括磷酸、磷酸酐、由以下式1表示的化合物、以及除式1表示的化合物之外的包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物，[式1]其中，在式1中，A为n价基团，其中n为1‑6的整数，L为直接键或亚烃基，Y选自NR1、O、PR2和S，其中R1‑R2独立地为氢、卤素、取代或未取代的烃基或非烃基，X和Z独立地选自N、O、P和S，并且Ra‑Rc独立地为未共享的电子对、氢或取代或未取代的烃基。
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公开(公告)号：CN111100641B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201911016141.1
申请日：2019-10-24
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1]其中，R1‑R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1‑C20烃基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1‑C20‑烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。
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公开(公告)号：CN112442372B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010908291.X
申请日：2020-09-02
IPC: C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐：[式1]#imgabs0#其中：L1‑L3独立地为取代或未取代的亚烃基，R1‑R4独立地为氢、取代或未取代的烃基基团，以及Xn‑为n价阴离子，其中n为1‑3的整数。
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公开(公告)号：CN110527512B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201910433994.9
申请日：2019-05-23
IPC: C09K13/06 , C07F7/18 , C07F9/50 , C07F9/6596 , C07F9/53
Abstract: 一种蚀刻剂组合物，其包括磷酸和由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中A为n价基团，L为C1‑C5亚烃基，R1‑R3独立地为氢、羟基、烃基或烷氧基，其中R1‑R3各自存在或通过杂元素相互连接，n为2‑5的整数。
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公开(公告)号：CN112011341A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010482104.6
申请日：2020-05-29
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/311 , C07F7/18
Abstract: 一种蚀刻组合物，其包括磷酸、磷酸酐、由以下式1表示的化合物、以及除式1表示的化合物之外的包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物，[式1]其中，在式1中，A为n价基团，其中n为1-6的整数，L为直接键或亚烃基，Y选自NR1、O、PR2和S，其中R1-R2独立地为氢、卤素、取代或未取代的烃基或非烃基，X和Z独立地选自N、O、P和S，并且Ra-Rc独立地为未共享的电子对、氢或取代或未取代的烃基。
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公开(公告)号：CN111825709A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010307664.8
申请日：2020-04-17
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明涉及由以下式1表示的硅化合物：[式1]其中R1-R6各自独立地选自氢、烃基和非烃基，L为直接键或亚烃基，X为氧(O)或硫(S)，Y和Z各自独立地选自NR7、O和S，其中R7为氢、烃基或非烃基，且Y和Z不同时为NR7，A为n价基团，其中n为1-6的整数。
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公开(公告)号：CN110527512A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910433994.9
申请日：2019-05-23
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C09K13/06 , C07F7/18 , C07F9/50 , C07F9/6596 , C07F9/53
Abstract: 一种蚀刻剂组合物，其包括磷酸和由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中A为n价基团，L为C1-C5亚烃基，R1-R3独立地为氢、羟基、烃基或烷氧基，其中R1-R3各自存在或通过杂元素相互连接，n为2-5的整数。
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公开(公告)号：CN112442373A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010827110.0
申请日：2020-08-17
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物、使用蚀刻组合物蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包含：磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物以及由下式1表示的有机磷酸酯：[式1] 其中，R1至R3独立地为氢或者取代或未取代的烃基基团，并且R1至R3的至少一个为取代或未取代的烃基基团。
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公开(公告)号：CN112442372A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010908291.X
申请日：2020-09-02
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐：[式1]其中：L1‑L3独立地为取代或未取代的亚烃基，R1‑R4独立地为氢、取代或未取代的烃基基团，以及Xn‑为n价阴离子，其中n为1‑3的整数。
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公开(公告)号：CN111100641A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911016141.1
申请日：2019-10-24
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1] 其中，R1-R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1-C20烃基、C1-C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1-C20-烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1-C3亚烃基，A为n价基团，n为1-4的整数。
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