公开(公告)号：CN100380449C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200410043222.8

申请日：2004-05-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大池太郎 ,  野口洁 ,  矢里晴司

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3906

Abstract: 下部磁极层，具有磁极部分层和磁轭部分层。上部磁极层，具有磁极部分层和磁轭部分层。下部磁极层的磁极部分层、记录间隙层及上部磁极层的磁极部分层的与基板的上表面平行的断面形状相同。两磁极部分层及记录间隙层的集合体，包含着具有限定磁道宽度的宽度的第1部分及宽度大于第1部分的宽度的第2部分。当设第1部分的宽度为W并设从媒体相对面ABS到第1部分和第2部分的交界位置的距离为L时，L/W在2以上、5以下。当设与基板的上表面平行的集合体的断面的面积为S时，S/(W×L)在5以上、40以下。

公开(公告)号：CN1862664A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080345.8

申请日：2006-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加加美健朗 ,  清野浩 ,  平林启 ,  小俣英一 ,  矢里晴司 ,  坂本孝光

IPC: G11B5/31 ,  G11B21/21

Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。

公开(公告)号：CN100373455C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610080345.8

申请日：2006-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加加美健朗 ,  清野浩 ,  平林启 ,  小俣英一 ,  矢里晴司 ,  坂本孝光

IPC: G11B5/31 ,  G11B21/21

Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。

公开(公告)号：CN1551115A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410043222.8

申请日：2004-05-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大池太郎 ,  野口洁 ,  矢里晴司

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3906

Abstract: 下部磁极层，具有磁极部分层和磁轭部分层。上部磁极层，具有磁极部分层和磁轭部分层。下部磁极层的磁极部分层、记录间隙层及上部磁极层的磁极部分层的与基板的上表面平行的断面形状相同。两磁极部分层及记录间隙层的集合体，包含着具有限定磁道宽度的宽度的第1部分及宽度大于第1部分的宽度的第2部分。当设第1部分的宽度为W并设从媒体相对面ABS到第1部分和第2部分的交界位置的距离为L时，L/W在2以上、5以下。当设与基板的上表面平行的集合体的断面的面积为S时，S/(W×L)在5以上、40以下。