公开(公告)号：CN1326116C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200510059932.4

申请日：2005-04-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 清野浩 ,  蜂须贺望 ,  猿木俊司 ,  笠原宽显

IPC: G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 提供一种复合型薄膜磁头，包括：具有上屏蔽层、下屏蔽层和位于所述上屏蔽层和所述下屏蔽层之间的磁阻层的磁阻读取头元件，其中在磁阻层读出电流通过所述上屏蔽层和所述下屏蔽层在与所述磁阻层的表面垂直的方向流过；以及在所述磁阻读取头元件上形成的感应式写入头元件，所述感应式写入头元件具有上磁极层、记录间隙层、其端部通过所述记录间隙层与所述上磁极层的一个端部相对的下磁极层、和以在所述上磁极层和所述下磁极层之间穿过的方式形成的写线圈；所述写线圈与所述上屏蔽层之间的电容C12被调到0.1pF或更小。

公开(公告)号：CN1677500A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510059932.4

申请日：2005-04-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 清野浩 ,  蜂须贺望 ,  猿木俊司 ,  笠原宽显

IPC: G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 提供一种复合型薄膜磁头，包括：具有上屏蔽层、下屏蔽层和磁阻层的磁阻读取头元件，其中在磁阻层读出电流通过所述上屏蔽层和所述下屏蔽层在与所述磁阻层的表面垂直的方向流过；以及在所述磁阻读取头元件上形成的感应式写入头元件，所述感应式写入头元件具有上磁极层、记录间隙层、其端部通过所述记录间隙层与所述上磁极层的一个端部相对的下磁极层、和写线圈；所述写线圈与所述上屏蔽层之间的电容C12被调到0.1pF或更小。