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公开(公告)号：CN101471075B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810188837.8
申请日：2008-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头，其特征在于，如果向第1及第2近场光发生部照射激光等能量线，则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用发生的近场光，加热与介质相对面相对的磁记录介质，使磁记录介质的矫顽力降低。由于主磁极的至少一部分位于包含第1及第2近场光发生部之间的区域的光斑区域内，因此，两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近，可以进行高密度的记录。
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公开(公告)号：CN1610000B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410087732.5
申请日：2004-10-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种能够高效利用由写入线上流动的电流形成的磁场，稳定地进行信息写入，且设计上自由度高的磁存储器件。具有为围住写入字线(6)及写入位线(5)而沿环回方向环状配置的、具有隔着设于环回方向上的一部分的间隙而互相对向的一对开放端(K4)的磁轭(4)以及包含其磁化方向随外部磁场变化而变化的第二磁性层(8)且具有一对端面(K20)的层叠体(S20)，层叠体(S20)配置在间隙中，使一对端面(K20)的各端面与一对开放端(K4)的每一端互相对向。从而能够高效地进行第二磁性层(8)的磁化反转，并且与层叠体和磁轭互相连接的情况相比，能够在大的范围内选择构成层叠体(S20)的材料，充分发挥层叠体的磁性能和电性能。
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公开(公告)号：CN101471075A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188837.8
申请日：2008-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头，其特征在于，如果向第1及第2近场光发生部照射激光等能量线，则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用发生的近场光，加热与介质相对面相对的磁记录介质，使磁记录介质的矫顽力降低。由于主磁极的至少一部分位于包含第1及第2近场光发生部之间的区域的光斑区域内，因此，两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近，可以进行高密度的记录。
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公开(公告)号：CN1610000A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410087732.5
申请日：2004-10-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种能够高效利用由写入线上流动的电流形成的磁场，稳定地进行信息写入，且设计上自由度高的磁存储器件。具有为围住写入字线(6)及写入位线(5)而沿环回方向环状配置的、具有隔着设于环回方向上的一部分的间隙而互相对向的一对开放端(K4)的磁轭(4)以及包含其磁化方向随外部磁场变化而变化的第二磁性层(8)且具有一对端面(K20)的层叠体(S20)，层叠体(S20)配置在间隙中，使一对端面(K20)的各端面与一对开放端(K4)的每一端互相对向。从而能够高效地进行第二磁性层(8)的磁化反转，并且与层叠体和磁轭互相连接的情况相比，能够在大的范围内选择构成层叠体(S20)的材料，充分发挥层叠体的磁性能和电性能。
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公开(公告)号：CN1591674A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068661.4
申请日：2004-09-03
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 羽立等
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种可有效地利用由流过导线的电流所形成的磁场稳定地进行信息的写入、而且可以稳定地保持所写入的信息的磁性存储器件。备有对应于写入比特线(5)和写入字线(6)的交叉的区域配置、构成为包围它们的周围的一部分或全部的磁轭(4)，和含有磁化方向因外界磁场而变化的第2磁性层(8)、与磁轭(4)磁连接的叠层体(S20)，由于第2磁性层(8)具有大于磁轭(4)的保磁力，磁轭(4)具有越接近第2磁性层(8)越大的保磁力，所以可以抑制磁轭(4)的残留磁化产生的影响，可以稳定地保持第2磁性层(8)的磁化方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591674B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410068661.4
申请日：2004-09-03
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 羽立等
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种可有效地利用由流过导线的电流所形成的磁场稳定地进行信息的写入、而且可以稳定地保持所写入的信息的磁性存储器件。备有对应于写入比特线(5)和写入字线(6)的交叉的区域配置、构成为包围它们的周围的一部分或全部的磁轭(4)，和含有磁化方向因外界磁场而变化的第2磁性层(8)、与磁轭(4)磁连接的叠层体(S20)，由于第2磁性层(8)具有大于磁轭(4)的保磁力，磁轭(4)具有越接近第2磁性层(8)越大的保磁力，所以可以抑制磁轭(4)的残留磁化产生的影响，可以稳定地保持第2磁性层(8)的磁化方向。
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公开(公告)号：CN100538875C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200410054544.2
申请日：2004-07-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L43/12
Abstract: 提供一种具有紧凑结构、并可进行有效利用了由写入电流形成的磁场的稳定动作，而且高精度形成的磁存储器装置。由于在磁轭4的至少一部分中采用镀膜，因而与由干成膜法来形成的场合相比，可得到足够的厚度及高尺寸精度。因此可有效地形成更稳定的回流磁场34，可确保高可靠性。而且可将相邻存储单元1之间的间隔配置得更窄，适于高集成化及高密度化。
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公开(公告)号：CN100466095C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410085615.5
申请日：2004-10-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1675
Abstract: 提供一种能够高效率地利用因导线上流动的电流而形成的磁场、使信息写入稳定进行的磁阻效应元件以及设有该元件的磁存储器。使与一对磁轭(4a、4b)的回转方向垂直的截面的面积分别在与层叠体(S20a、S20b)相向的连接部分(14a、14b)成为最小而构成。由此能够使通过写入电流在写入位线(5a、5b)及写入字线(6)中流动而产生的回流磁场(16a、16b)的磁通密度在连接部分(14a、14b)最高，使有效、稳定的信息写入成为可能。
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公开(公告)号：CN1606094A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410085615.5
申请日：2004-10-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1675
Abstract: 提供一种能够高效率地利用因导线上流动的电流而形成的磁场、使信息写入稳定进行的磁阻效应元件以及设有该元件的磁存储器。使与一对磁轭(4a、4b)的回转方向垂直的截面的面积分别在与层叠体(S20a、S20b)相向的连接部分(14a、14b)成为最小而构成。由此能够使通过写入电流在写入位线(5a、5b)及写入字线(6)中流动而产生的回流磁场(16a、16b)的磁通密度在连接部分(14a、14b)最高，使有效、稳定的信息写入成为可能。
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公开(公告)号：CN1577614A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054544.2
申请日：2004-07-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L43/12
Abstract: 提供一种具有紧凑结构、并可进行有效利用了由写入电流形成的磁场的稳定动作，而且高精度形成的磁存储器装置。由于在磁轭4的至少一部分中采用镀膜，因而与由干成膜法来形成的场合相比，可得到足够的厚度及高尺寸精度。因此可有效地形成更稳定的回流磁场34，可确保高可靠性。而且可将相邻存储单元1之间的间隔配置得更窄，适于高集成化及高密度化。
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