公开(公告)号：CN1253853C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN00118848.8

申请日：2000-06-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 茨田和弘 ,  山口正雄 ,  佐佐木正博

IPC: G11B5/39 ,  B24B49/10

CPC classification number: G11B5/3166 ,  G11B5/3169 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/39 ,  H01F41/14

Abstract: 本发明提供一种用于制造磁换能器的方法。在开始抛光之前，获取包含对最终MR阻值具有影响的，在晶片阶段的各种因素的信息，并通过使用统计机制来由该信息计算S值。在抛光步骤中，以规律的间隔来获取包含对最终MR阻值具有影响的，在抛光阶段的各类因素的信息。并使用统计机制来计算K值。接着，由S值和K值来计算在抛光步骤中的MR阻值估计值。当MR阻值估计值达到目标阻值时，停止抛光。

公开(公告)号：CN1284710A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00118848.8

申请日：2000-06-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 茨田和弘 ,  山口正雄 ,  佐佐木正博

IPC: G11B5/39 ,  B24B49/10

CPC classification number: G11B5/3166 ,  G11B5/3169 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/39 ,  H01F41/14

Abstract: 本发明提供一种用于制造磁换能器的方法和装置和用于制造其磁阻元件特性的变化和在分布的中值变化可以被降低的方法和装置。在开始抛光之前,获取包含对最终MR阻值具有影响的,在晶片阶段的各种因素的信息,并通过使用统计机制来由该信息计算S值。在抛光步骤中,以规律的间隔来获取包含对最终MR阻值具有影响的,在抛光阶段的各类因素的信息。并使用统计机制来计算K值。接着,由S值和K值来计算在抛光步骤中的MR阻值估计值。当MR阻值估计值达到目标阻值时,停止抛光。