公开(公告)号：CN1971804A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610149290.1

申请日：2006-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 赵珍熙 ,  李相祚 ,  洪秀奉

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/46 ,  H01J3/02 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J29/46 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/3195 ,  H01J2329/0497

Abstract: 本发明披露了一种电子发射装置。该电子发射装置包括阻抗层，该阻抗层包括在阴极中并用于电连接线电极和绝缘电极。阴极由于阻抗层而能维持一致的电压。保护层位于阻抗层上。该保护层防止包含在阻抗层中的导电元件扩散过保护层。该保护层也防止阻抗层被氧化。

公开(公告)号：CN102017051A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880109678.6

申请日：2008-10-03

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： A·芬尼莫尔 ,  L·-T·A·程

IPC: H01J29/86 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/86 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3195 ,  H01J2329/4634

Abstract: 下栅场发射三极管装置和其中所用的阴极组合件包含电荷耗散层(6，11)，该电荷耗散层可定位在阴极电极(6.4)、(6.5)、和/或电子场发射器(6.6)的下方或上方。