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公开(公告)号：CN102607678A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210117635.0
申请日：2012-04-20
Applicant: 西南应用磁学研究所 , 绵阳西磁科技有限公司
IPC: G01G17/04
Abstract: 本发明涉及粉料称量装置，其公开了一种可调式自动称料器，包括装料装置、传输装置、称量装置以及出料装置；所述装料装置通过所述传输装置与所述称量装置进行连接；所述称量装置通过所述传输装置与所述出料装置进行连接；所述称量装置包括固定部件、可调式称量板以及活动气缸；所述可调式称量板与所述活动气缸进行连接。本发明的有益效果是：本称料器将粉料的多少进行量化，动作独立，使得粉料的多少与产品形状、模具没有关系，减少影响因数，提高成型质量,进一步提高了产品合格率。
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公开(公告)号：CN119696530A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411701043.2
申请日：2024-11-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种宽带馈通式滤波器，属于滤波器技术领域，包括外壳（1）、中心导体（2）、磁环（3）、贴片电阻（4）、集成穿心电容（5）、腔形焊盘（6）、介质环（7）、电感器（8）和限位介质（9）等，所述电感器（8）为绕线电感，所述集成穿心电容（5）包括穿心电容（51）、限位孔（52）、陶瓷焊盘（53），和限位陶瓷（54）；本发明使滤波器对低频段信号的阻断作用明显增强，能实现100kHz到40GHz频率范围内20dB的抑制度，使滤波信号的低频段明显拓宽，还解决中心导体的偏移问题，提升产品的可靠性和一致性；并有效减少了滤波器元件的数量，有利于简化生产流程，提升工艺的一致性。
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公开(公告)号：CN119638487A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411945531.8
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京科技大学 , 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明提供了3d‑4f超交换作用调控铁氧体陶瓷性能的方法，涉及智能制造、超材料、先进功能材料技术领域，旨在解决自旋状态与晶格振动(声子)之间的耦合作用并没有得到有效的利用，导致材料的性能单一的技术问题。3d‑4f超交换作用调控铁氧体陶瓷性能的方法包括调节铁氧体陶瓷的温度，并基于测试实验确定铁氧体陶瓷在不同温度下的性能参数；建立性能参数和铁氧体陶瓷温度的对应关系；基于铁氧体陶瓷的目标性能参数的输入，根据目标性能参数以及对应关系，确定铁氧体陶瓷的目标温度；调节铁氧体陶瓷至目标温度，以使铁氧体陶瓷具备目标性能。本发明可以快速的定位出铁氧体陶瓷的目标温度，从而调节铁氧体陶瓷至目标温度，以使铁氧体陶瓷具备目标性能。
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公开(公告)号：CN119638399A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411943032.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种超高饱和磁化强度微波复合材料及其制备方法，属于微波铁氧体材领域，所述复合材料以Ni系铁氧体为基体，还添加有羰基铁和硼酸；本发明采用高饱和磁化强度的金属磁粉与铁氧体进行复合，得到了具有超高饱和磁化强度的微波复合材料，其最高饱和磁化强度可达6250Gs，有益于微波铁氧体器件的小型化、高频化；本发明涉及的超高饱和磁化强度微波复合材料制备工艺简单，传统的铁氧体制备工艺即可满足，利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN119560292A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411735432.7
申请日：2024-11-29
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01F41/02 , H01F1/147 , H01F27/245
Abstract: 本发明公开了一种高致密度的片状粉磁粉芯材料及其制备方法，属于金属软磁材料领域，本发明通过在片状粉磁粉芯材料成型过程中引入磁场旋转取向环节对微小磁粉颗粒的排列进行调整，使得所有磁粉颗粒平行密排堆积，进一步压制成高致密度结构的磁粉芯；本发明解决了高致密度片状磁粉填充磁粉芯成型难的问题，通过该方法制备出的片状粉磁粉芯具有高磁导率、高工作频率、高饱和磁化强度、高机械强度和较低的损耗等优势，并且本方法为高致密度片状粉磁粉芯的发展提供了关键技术。
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公开(公告)号：CN119550154A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411965484.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石铁氧体抛光方法，属于波导器件材料技术领域，所述方法为：使用高硬度聚氨酯抛光垫（A）配合白刚玉进行第一轮抛光；使用低硬度抛光垫（B）配合多晶钻石液进行第二轮抛光；本发明的抛光方法用于解决尖晶石铁氧体基片抛光后表面粗糙度大，表面质量差有橘皮，抛光后表面粗糙度不均匀等问题，极大提高基片的生产效率、产品一致性，有利于微波器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119407678A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411369284.1
申请日：2024-09-29
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) , 西南科技大学
Abstract: 本发明提供了薄膜减薄与表面处理方法、低粗糙度YIG薄膜和应用。所述方法包括：使用砂纸对YIG薄膜进行主要减薄；使用W1.5～W2.5抛光布对经砂纸处理后的YIG薄膜进行减薄和抛光，以去除表面划痕并改善粗糙度；使用氩离子刻蚀抛光技术对经抛光布处理后的YIG薄膜进行减薄和抛光得到符合厚度与表面粗糙度要求的YIG薄膜。本发明制备的YIG薄膜相较于直接机械研磨技术，具有更高的减薄速率、更低的表面粗糙度和较为准确的目标厚度等优点。
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公开(公告)号：CN119320991A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411348730.0
申请日：2024-09-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性Ga掺杂YIG单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用高温高压光学浮区法生长石榴石Y3Fe5‑xGaxO12单晶，相比于传统助熔剂法，该方法可有效避免元素分凝现象对掺杂均匀性的影响，其制备的Y3Fe5‑xGaxO12单晶材料具有良好的掺杂均匀性，其饱和磁化强度一致性高，几乎不存在梯度分布，可应用于对单晶材料品质要求较高的YIG振荡器、磁光隔离器中。
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公开(公告)号：CN119315972A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411313529.9
申请日：2024-09-20
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) , 北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)
IPC: H03K17/687 , H03K17/72 , H03K17/60 , H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种等离子体放电开关的触发电路，用于触发等离子体开关，还包括低压输入端、触发信号端、电子开关、耦合电感和单向开关，所述低压输入端用于提供输入电压；所述触发信号端用于发出单个或多个脉冲信号，其输出端连接电子开关的控制极，所述耦合电感由原边电感和副边电感耦合而成，原边电感两端分别连接低压输入端和电子开关的一连接端，电子开关的另一连接端接地，副边电感两端分别连接单向开关阳极和等离子体开关的阴极，等离子体开关的阴极接地，阳极接后端的高压电路，触发极接单向开关阴极。本发明制作工艺简单，易于小型化集成；电路简单，系统复杂性大幅降低；系统可靠性高，防误触发能力强。
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公开(公告)号：CN119024237A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411483733.5
申请日：2024-10-23
Applicant: 兰州大学 , 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明提供一种表征软磁薄膜材料高频阻尼因子的方法，是针对扫频模式下对测量频率范围在500 MHz‑9 GHz的磁谱提出的表征软磁薄膜材料高频阻尼因子的方法，首先对其虚部进行洛伦兹峰型拟合获得共振线宽Δf随外磁场的变化，然后通过数据分析和转换，得到共振线宽ΔH随着共振频率f0的变化。最后利用线性拟合公式计算得到高频阻尼因子。本发明提供的方法，将扫频模式下的共振线宽Δf转换成扫场模式下的共振线宽ΔH，以便利用常规的线性拟合方法获得软磁薄膜样品的高频阻尼因子。通常情况下，软磁薄膜的高频阻尼因子需要通过扫场模式下的铁磁共振谱来表征，而且扫描磁场模式相比于扫描频率需要花费更多的时间。
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