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公开(公告)号:CN114875347A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210281325.6
申请日:2022-03-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本公开揭示了一种叶片榫头低速升温回复热处理方法,包括如下步骤:对服役后的叶片榫头切片制样;观察叶片榫头样品的微观组织结构,以确定叶片榫头的低速升温回复热处理参数;对叶片榫头样品由起始加热温度开始加热升温至所述终止加热温度;将加热升温至终止加热温度的叶片榫头样品冷却至室温后,沿平行于枝晶生长方向线切割获得样品横截面,对样品横截面的氧化层沿垂直于枝晶生长方向打磨,并观察打磨后的叶片榫头样品中每个榫齿的微观组织结构;根据打磨后的叶片榫头样品中每个榫齿的微观组织结构对低速升温回复热处理参数进行优化,获得优化后的低速升温回复热处理参数;根据优化后的低速升温回复热处理参数对叶片榫头样品重复执行步骤3。
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公开(公告)号:CN113325015B
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202110520233.4
申请日:2021-05-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/2055
Abstract: 公开了一种劳厄衍射图谱中识别同一衍射峰所劈裂衍射亚峰的方法,方法包括以下步骤:在劳厄衍射图谱中寻找衍射亚峰并计算衍射亚峰的积分强度,将衍射亚峰标记为未归类衍射亚峰;将在未归类衍射亚峰中积分强度最大的衍射亚峰加入序列L;对序列L中的所有衍射亚峰Pi,根据各衍射亚峰Pi的积分强度,计算各衍射亚峰Pi各自对应的临界偏差距离为εi,在所有不属于序列L的未归类衍射亚峰中,寻找与序列L中的任一衍射亚峰Pi的偏差距离Δε小于衍射亚峰Pi对应临界偏差距离εi的衍射亚峰,并将其加入序列L;将序列L的所有的衍射亚峰定义为同一衍射峰所劈裂出的衍射亚峰,将序列L的所有衍射亚峰重新标记为已归类衍射亚峰。
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公开(公告)号:CN110927191B
公开(公告)日:2021-04-13
申请号:CN201911313370.X
申请日:2019-12-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/2055
Abstract: 本发明公开了一种劳厄衍射图谱的标定方法,方法包括以下步骤:求解样品在白光X射线光源能量范围内所有的劳厄衍射峰的米勒指数,在劳厄衍射图谱中获得衍射峰及其位置并将获得的衍射峰标记为实验衍射峰,基于探测器坐标系计算所述实验衍射峰的衍射矢量,计算所述实验衍射峰数量大于预定参数np的晶带轴Zi′方向;标定晶带轴Zi′得到晶带轴的米勒指数并计算取向变换矩阵T;对比标定的所述实验衍射峰,通过衍射峰之间的角度差检测被标定的所述实验衍射峰的标定结果的正确性,若标定正确的实验衍射峰的数目大于等于预定参数n1,则完成标定过程。
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公开(公告)号:CN110608827B
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN201910891249.9
申请日:2019-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单色X射线衍射的单晶或定向晶应变/力检测系统,其中,样品台上表面支承单晶样品,所述样品台包括绕第一轴的倾转自由度以及绕第二轴的旋转自由度;X射线发生器配置成生成单色X射线以照射所述单晶样品,所述X射线发生器在X射线发生器‑探测器平面内的预定角度范围以预定步长偏转以改变入射角;可移动探测器配置成获得衍射信号,所述可移动探测器在X射线发生器‑探测器平面内摆动;连接所述可移动探测器检测模块包括计算衍射角的衍射角计算单元和基于所述衍射角计算残余应力的残余应力计算单元。
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公开(公告)号:CN110596160B
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN201910884183.0
申请日:2019-09-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/20 , G01N23/20025 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种单色X射线的单晶/定向晶应力测量系统和测量方法,测量系统中,多轴样品台包括沿X轴平移的X自由度、沿Y轴平移的Y自由度、沿Z轴平移的Z自由度、绕Z轴旋转的旋转自由度以及绕X轴和/或Y轴倾转的倾转自由度,样品台控制模块基于指令控制样品台的在其自由度上的运动,共心高调整模块基于样品表面位置发送指令到样品台控制模块使得样品表面处于共心高位置,控制单元发出指令到样品台控制模块使得处于共心高位置的样品表面旋转和倾转,以及调整X射线发生器X射线入射方向和采集模块的采集位置以采集衍射峰信号,计算模块基于衍射峰信号生成应力数据。
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公开(公告)号:CN111354009A
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN202010125857.1
申请日:2020-02-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种激光增材制造熔池形状的提取方法,方法包括以下步骤:对输入的熔池图像进行灰度化处理生成灰度图像,对所述灰度图像进行滤波处理,对滤波后的每一帧灰度图像进行二值化处理得到二值化图像,当输入的熔池图像不是与激光同轴采集时,识别并去除二值化图像中的反射斑,提取二值化图像中的熔池图像轮廓,获取所述熔池图像轮廓的外接最小矩形,其中,外接最小矩形的长与宽为熔池的长与宽。
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公开(公告)号:CN111217990A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN202010065113.5
申请日:2020-01-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了基于不同取代吡嗪受体单元的D-A共聚物给体材料及应用,该给体材料的通式如下:其中:R选择H,F,Cl,OMe或COOR’,R’选自C6~C20中的一种;R”选自H,F,Cl或C6~C14中的一种;Donors表示给体单元。该给体材料具有较强的光吸收能力、较好的电荷传输性能以及合适的电子能级。
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公开(公告)号:CN109507219B
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201811245648.X
申请日:2018-10-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/2055 , G01N23/207
Abstract: 本公开揭示了一种自动分析扫描式劳厄衍射图谱中衍射峰峰形的方法,包括:从来自同一次实验的所有扫描式劳厄衍射图谱中任选一张衍射图谱并使用二维中值滤波方法获得X射线荧光分布图谱并计算其上所有像素点的强度平均值;读取所述实验中的一张衍射图谱,计算所述衍射图谱上各像素点的强度平均值和所述衍射图谱去除荧光背景后的各像素点的强度值,获得去除荧光背景后的衍射图谱;寻找所述去除荧光背景后的衍射图谱上的衍射峰;分析寻找的衍射峰的峰形;判断所有需要分析的衍射图谱是否已经分析完成,若完成,则分析结束,否则重复执行步骤2‑4。本公开揭示了衍射图谱去除X射线荧光背景方法和寻峰操作方法,还揭示了新的衍射峰长轴计算方法。
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公开(公告)号:CN110760770A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201911050932.6
申请日:2019-10-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶镍基高温合金冷变形后的热处理方法,方法包括以下步骤:制备单晶镍基高温合金的圆柱状样品,其中,在室温下压缩样品,其塑性变形量在6.5%以内,确定单晶镍基高温合金低速升温回复热处理的起始温度为标准固溶温度之下150-180度,终止温度为单晶镍基高温合金的标准固溶温度,在起始温度和终止温度之间分为低温区间和高温区间,高温区间温度差值是低温度区间温度差值的预定倍数,按照升温速率对所述样品进行回复热处理,在温度到达终止温度后,保温标准固溶热处理所需时间后将样品空冷至室温取出,利用扫描电子显微镜对取出的样品进行微观组织形貌表征以检测样品中析出强化相γ′相的尺寸和形状且确定无再结晶组织出现。
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公开(公告)号:CN110760769A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201911048535.5
申请日:2019-10-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C22F1/10
Abstract: 本发明公开了一种单晶镍基高温合金冷变形回复方法,方法包括以下步骤:确定冷变形后单晶镍基高温合金的滑移带组织形貌并标记位置,其中,沿着特定方向的变形集中带中的镍基高温合金的强化相γ′相的形貌特征变为受挤压和受位错切割,位错切割方向为沿着方块状γ′相的对角线方向,回复温度确定为单晶镍基高温合金的第一步时效温度,基于标记位置的滑移带组织在所述回复温度下保温时间确定安全保温时间,制备经过冷变形的单晶镍基高温合金样品,一半样品进行回复和标准固溶热处理,以及另一半样品只进行标准固溶热处理,确定单晶镍基高温合金经过热处理的可回复塑性变形量范围。
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