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公开(公告)号：CN203461348U
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201320552409.5
申请日：2013-09-06
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称为多功能包装盒。属于半导体器件成品包装技术领域。它主要是解决现有电力半导体模块因结构复杂而定位难，成本高且在包装、运输中易造成破坏性损失及存放空间需防潮的问题。它的主要特征是：包括均为一次成型的上盖体和下盖体两部分；所述上盖体和下盖体四周边沿分别有相互配合的凸筋和凹槽；所述上盖体内壁均匀设有与电力半导体模块上部外形配合的模块上定位凹槽；所述下盖体内壁设有与电力半导体模块下部外形及底板配合的模块下定位凹槽。本实用新型具有包装效率高、操作简单、避免半导体模块受潮、减少模块由于固定不牢而在外界搬运等因素造成模块产品受损的特点，主要用于电力半导体模块成品的包装。
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公开(公告)号：CN203445128U
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201320521965.6
申请日：2013-08-26
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L29/417
Abstract: 本实用新型的名称为一种半导体器件阴极结构。属于半导体器件技术领域。它主要是解决现有半导体器件阴极因放大门极渐开线指条太长而存在di/dt耐量低、门极控制开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：所述的放大门极延长线指条包括呈辐射状均匀分布的直线型内指条和与其外端连接的V字型外指条，内端插入并与放大门极圆环连接；直线型内指条的两个边外指条对称；各V字型外指条的外端点在所在的圆周上均匀分布；直线型内指条、V字型外指条的夹角边缘为圆形。本实用新型具有提高芯片有效利用面积、初始导通面积和阴极区开通均匀性的特点，广泛应用于电力半导体快快速晶闸管、脉冲晶闸管等快开通器件阴极图形设计。
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公开(公告)号：CN203054181U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201320021282.4
申请日：2013-01-16
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型的名称为功率半导体器件串并联检测设备。属于功率半导体器件应用技术领域。它主要是解决现有根据器件参数和经验选配不反映器件真实特性的问题。它的主要特征是：包括主机、夹具和计算机控制单元；主机包括阻断测试单元、正向电压测试单元、开通特性测试单元、恢复特性测试单元、门极特性测试单元；夹具包括第一夹头、旋转臂和第二夹头；计算机控制单元包括计算机芯片及其外围电路，第一夹头加压控制电路、旋转臂旋转控制电路和第二夹头加压控制电路。本实用新型具有可提高工作效率，并真实检测出器件串并联特性一致性的，主要应用于功率半导体器件高电压或大电流的应用领域中多只功率半导体器件的串联和并联配组。
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公开(公告)号：CN202913088U
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201220324585.9
申请日：2012-07-06
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: C30B31/14
Abstract: 本实用新型的名称为筒形舟。属于半导体扩散辅助设备技术领域。它主要是解决现有硅片进行预沉积和再扩散时所使用一次性石英封管存在浪费和污染扩散片的问题。它的主要特征是：包括一个上半圆舟、一个下半圆舟和两个圆形侧挡板；上半圆舟和下半圆舟的两侧内壁上设有配合的挡片插放凹槽，两个侧挡板分别位于该两侧的挡片插放凹槽内；上半圆舟和下半圆舟的接触端面设有配合的台阶。上半圆舟、下半圆舟和两侧的侧挡板可配套成一个封闭筒形区域。本实用新型具有可使扩散区域相对封闭，提高扩散参数的均匀性，避免硅片受外部污染，高温不易变形，可反复使用的特点，主要用于在高温扩散时存放半导体圆片、杂质源的筒形舟。
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公开(公告)号：CN202888149U
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201220591187.3
申请日：2012-11-12
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称为全压接封装高压半导体器件，属于高压半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊结而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：管壳下封接件、下钼圆片、半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和管壳上封接件依次为压接接触；管壳上封接件中心设有安装孔；上钼圆片中心设有定位孔，门极引线组件卡入该定位孔内。本实用新型具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足电压5000V以上或芯片直径4吋及以上的高压半导体器件要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220196029U
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202222087074.6
申请日：2022-08-09
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称一种电极折弯机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决目前电极人工折弯存在费力和效率低的问题。它的主要特征是：包括底座、滚轮及滚轮驱动机构和防撞条及防撞条驱动机构；底座上设有固定位置的工位放置槽；滚轮及滚轮驱动机构设置在底座的一侧；防撞条及防撞条驱动机构设置在底座的相对的另一侧；防撞条低于滚轮的底部，且与滚轮相配合。折弯过程：模块到达固定位置后，防撞条伸入电极底部，滚轮开始移动，碾压电极，达到水平位置是滚轮停止前进，折弯结束，防撞条退出，滚轮退回。本实用新型具有由机械代替人工电极折弯、省时省力和电极折弯效率高的特点，主要用于功率半导体器件生产过程中电极的折弯。
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公开(公告)号：CN220106510U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202320565473.0
申请日：2023-03-22
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称一种集成式半导体模块阴极、门极引出装置。属于功率器件制造技术领域。它主要是解决现有大电流功率半导体模块器件装配中需要将门极组件、阴极片等依次放入而存在动作较复杂、效率不高和增加功耗的问题。它的主要特征是：包括绝缘板、门极引出组件和阴极引出组件；所述门极引出组件、阴极引出组件卡入绝缘板对应位置的预留孔中。本实用新型在模块装配前将门极引出组件和阴极引出组件卡入绝缘板中，在模块装配时直接放入，效率更高，同时减少了原配件中的铜或银阴极片，主要用于大电流功率半导体模块器件的阴极和门极的引出。
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公开(公告)号：CN218982156U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223442616.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称一种光刻胶点胶机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有手工点胶因台面粘有多余的光刻胶而存在影响下一次点胶时产品放置和较为浪费光刻胶的问题。它的主要特征是：包括装置箱体、控制装置、点胶装置和余胶回收装置；点胶装置包括接胶胶碗、透明盖板、出胶针阀、出胶微调旋钮、自动开盖组件、电动推台和升降台，接胶胶碗装于产品台面的通孔上，升降台安装在电动推台上并位于通孔下方；余胶回收装置由胶体刮板及其水平驱动机构构成，与升降台相配合；出胶针阀和出胶微调旋钮装于透明盖板上。本实用新型具有可通过胶体刮板清除升降台上多余光刻胶和节约光刻胶的特点，主要用于功率半导体器件制造的光刻胶点胶机。
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公开(公告)号：CN217728406U
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202220892896.9
申请日：2022-04-18
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称是一种半导体芯片喷砂机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。主要是解决现有技术中存在设备及其使用成本高的问题。它的主要特征是：包括圆筒形防护箱、喷砂管、喷砂枪、若干晶圆安装组件、漏斗、分离箱、第一驱动机构和第二驱动机构；所述若干晶圆安装组件沿防护箱圆周壁间隔设置；所述晶圆安装组件包括晶圆安装件、晶圆安装件旋转机构和晶圆安装件伸缩机构；所述第一驱动机构和第二驱动机构设置于防护箱上，第一驱动机构与晶圆安装件旋转机构连接，第二驱动机构与晶圆安装件伸缩机构连接。本实用新型具有结构简单、操作方便、喷砂效果好和设备及其使用成本低的特点，主要用于功率半导体器件芯片的喷砂处理。
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公开(公告)号：CN217475466U
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202221615574.6
申请日：2022-06-24
Applicant: 湖北腾威电子科技有限公司 , 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: B23Q7/00
Abstract: 本实用新型涉及铜板加工技术领域，公开了一种铜底板加工用翻转机构，包括数控机床，数控机床包括电动滑台和多功能刀库，电动滑台上夹持有多列铜底板组，每列铜底板组包括若干平行间隔设置的铜底板，数控机床的架体上固定连接有用于铜底板翻面的翻转机构，翻转机构包括用于将铜底板夹紧的夹紧组件、用于将铜底板翻面的翻转组件、将铜底板夹紧后脱离电动滑台的升降组件，翻转时，电动滑台带动铜底板滑动至翻转机构的正下方，本实用新型能够在铜底板加工的过程中用于给铜底板进行翻面。
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