公开(公告)号：CN1649181B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200510004816.2

申请日：2005-01-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 铃木贵征

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供用于制备以低驱动电压获得高发光输出的发光元件的氮化物半导体自立基板。其是{20-24}衍射面及{11-24}衍射面的至少一者的X射线衍射半幅值为小于等于500秒、直径为大于等于10mm的氮化物半导体自立基板，其形成步骤为：(1)在底层基板上形成具有10n个/cm2(0＜n≤10)位错密度的第一氮化物半导体层，(2)在第一氮化物半导体层上形成由氮化物半导体以外的材料构成的掩模层，(3)在掩模层以小于等于10n-2个/cm2的密度开出具有小于等于10-ncm2的开口面积的贯通膜厚方向的开口部，(4)在掩模层上形成厚度大于等于50μm的第二氮化物半导体层后，(5)去除底层基板至掩模层。

公开(公告)号：CN101226260B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810002629.4

申请日：2008-01-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 加藤善久 ,  铃木香菜子

IPC: G02B6/38 ,  G02B6/36

CPC classification number: G02B6/3846 ,  G02B6/02314 ,  G02B6/3806 ,  G02B6/382 ,  G02B6/3858

Abstract: 本发明提供一种在光纤的铺设现场能够简易地进行多孔光纤的连接作业的光连接器。本发明提供的光连接器(1)具备套管(3)和连接在该套管(3)的后端的光纤连接件(5)，通过折射率整合体(6)，使其他的光纤(4)在光纤连接件(5)内对接地连接在从上述套管(3)的前端到上述光纤连接件(5)内内置的光纤(2)的后端面上，上述折射率整合体(6)是向交联固化型折射整合剂中添加应力应变缓和剂进行交联固化而成的材料。

公开(公告)号：CN101174492B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710162288.2

申请日：2007-10-09

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日立电线精密技术株式会社

Inventor： 福地胜一 ,  木村一史 ,  小室浩

IPC: H01B7/295 ,  H01B3/44 ,  C08L23/10 ,  C08L23/12 ,  C09K21/00

Abstract: 本发明提供改良了机械强度，并且末端加工性优良的非卤阻燃性电线。它是用树脂组合物形成包覆层而成的，此树脂组合物是向100重量份的由聚乙烯、聚丙烯、丙烯·丁烯共聚合树脂构成的聚烯烃系聚合物的混和物中混合40～300重量份的金属氢氧化物与0.5～10重量份的由聚丙烯构成的蜡而成的。

公开(公告)号：CN101995620A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010248431.1

申请日：2010-08-05

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 石神良明 ,  田村健一 ,  二阶堂真行

IPC: G02B6/42

CPC classification number: G02B6/4246 ,  G02B6/3885 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/4292

Abstract: 本发明涉及光电转换模块，提供一种与多信道化对应，由发送侧电路板和接收侧电路板构成且能够小型化的光电转换模块。光电转换模块(1)具备：将电信号转换成光信号的发送侧光电转换部(2)；将发送侧光电转换部(2)偏于一侧边一侧地配置并安装在一端的发送侧电路板(4)；将光信号转换成电信号的接收侧光电转换部(3)；以及将接收侧光电转换部偏于一侧边一侧地配置并安装在一端的接收侧电路板(5)，使发送侧电路板(4)的配置了发送侧光电转换部(2)的表面与接收侧电路板(5)的配置了接收侧光电转换部(3)的表面目对配置。

公开(公告)号：CN101958345A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101950790A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010224767.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  末永和史 ,  野本明

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/00 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。

公开(公告)号：CN101943536A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910221849.0

申请日：2009-11-18

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 堀口贤 ,  北岛宽规 ,  儿玉健二 ,  高野将男

IPC: F28F1/42

Abstract: 本发明涉及传热管及换热器。本发明的目的在于提供一种热交换效率高、能进一步提高传热性能并降低压力损失的传热管及换热器。本发明的传热管(1)具备：具有内周面(10a)及外周面(10b)的主管(10)；在外周面(10b)上呈螺旋状设置的波纹槽(20)；以及与波纹槽(20)邻接地设置在外周面(10b)上的多个凹部(30)，内周面(10a)具有由波纹槽(20)形成的凸状部(20a)和由多个凹部(30)形成的突起部(30a)。

公开(公告)号：CN101937117A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010218285.8

申请日：2010-06-29

Applicant: 日立电线株式会社 ,  株式会社先进电缆系统

Inventor： 小岛正嗣 ,  铃木香菜子 ,  中谷佳广 ,  石川俊彦 ,  西川贵雄 ,  伊东弘二郎 ,  末冈铁也

IPC: G02B6/28 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/2852 ,  G02B6/3825 ,  G02B6/4214

Abstract: 本发明涉及光连接器。本发明提供一种不需要光轴的高精度的对位等复杂的组装作业，而能够高效率地将在光传输线路中传输的通信光的一部分取出的光连接器。在用于对光传输线路彼此进行光连接的光连接器(1)中，该光连接器至少包括：连接器主体(16)；以及配备于该连接器主体内，介于光传输线路与光传输线路之间且与各光传输线路的端面接合的接合体(5)；接合体具有：与光传输线路光耦合的芯部(3)；配备在该芯部周围的包层部(4)；以及取出在光传输线路中传输的通信光的一部分的光取出单元；连接器主体(16)具有设置在面对光取出单元的位置上，用于将由光取出单元取出了一部分的通信光输出到光检测器(2)的光输出口(26)。

公开(公告)号：CN1797814B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200510097520.X

申请日：2005-12-28

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 清藤雅宏 ,  和岛峰生 ,  中川和彦 ,  福田州洋 ,  笹冈高明 ,  野村克己

IPC: H01M2/14 ,  H01M8/02

CPC classification number: H01M8/0208 ,  B32B15/017 ,  C22C14/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/08 ,  C22C21/12 ,  C22C23/02 ,  H01M8/0213 ,  H01M8/0215 ,  H01M8/0228 ,  Y02P70/56 ,  Y10T428/12729 ,  Y10T428/12736

Abstract: 本发明提供燃料电池用隔板及其制作方法，和用于这种燃料电池隔板的导电性耐腐蚀金属材料。这种燃料电池隔板的特点是，即使在电化学苛刻条件下的燃料电池环境中仍具有优良的耐腐蚀性和导电性，并且可以实现轻量化，而且具有良好的加工性能。在由铝合金或者镁合金形成的基材(11)表面上，形成由纯铝或者不含镁的铝合金构成的接合金属层(12A、12B)，在其表面上形成具有耐腐蚀性的、由钛或者钛合金形成的被覆层(13A、13B)，进而，在被覆层(13A、13B)的表面上形成具有导电性的保护膜(14A、14B)。

公开(公告)号：CN101425658B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810212432.3

申请日：2008-08-26

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 黑须健

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/32325 ,  H01S5/3054 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种激光二极管用外延晶片，其中的p型AlGaInP包覆层中的p型载流子浓度均匀、且p型杂质的扩散少。本发明提供的激光二极管用外延晶片具有双异质结构，在n型GaAs衬底(1)上，依次至少层叠由AlGaInP系材料构成的n型包覆层(2)、活性层(3)以及p型包覆层(4)，该激光二极管用外延晶片中，所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层(4)中的p型杂质是碳，所述p型包覆层(4)中的载流子浓度在8.0×1017cm-3以上、1.5×1018cm-3以下的范围。