-
公开(公告)号：CN117295341B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311274402.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种铁电非易失存储器及制备方法，其中的存储器包括衬底、依次设置在衬底上方的源侧控制栅、存储栅和漏侧控制栅；其中，在衬底上设置源极和漏极，位于源极和漏极之间的衬底区域形成隔离源极和漏极的沟道；在沟道和存储栅之间设置有铁电层，存储栅用于向铁电层的上表面施加电压，以改变铁电层的极化状态；源侧控制栅和漏侧控制栅用于控制沟道导通或关闭；通过控制存储栅、源极、源侧控制栅、漏侧控制栅以及漏极的电压，实现数据的写入、读取以及擦除。利用上述发明能够提高存储密度，降低功耗，增强可靠性。
-
公开(公告)号：CN119300704A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411499997.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明一种新型存储器单元及其制备方法和应用，将选通管S和电阻R构成1S1R存储器单元，包括在衬底上依次堆叠底电极、隔离层、阻变层、选通层和顶电极，在隔离层中包括上下连接的粗细沟槽，粗沟槽位于细沟槽上方，粗沟槽内填充选通层材料构成选通层，细沟槽内填充阻变层材料构成阻变层，粗沟槽的底面面积大于细沟槽的顶面面积；制备时通过两次光刻和刻蚀形成粗细沟槽，设计选通层和阻变层的有效生长区域面积，制备出不同电流驱动能力的选通管，利于阻变层和选通层的性能匹配，在选通层和阻变层间引入中间连接层，解决两者材料成分互相扩散问题；将1S1R单元与晶体管串联成1T1S1R单元，通过晶体管对电流的控制，准确测量纳米尺寸选通管的实际电学性能。
-
-
公开(公告)号：CN118654767A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410911960.7
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用感光晶体管和读晶体管，感光晶体管的源端与读取晶体管的栅端相连形成存储节点，用于暂存信号电荷，待检测光脉冲信号到来后，感光晶体管接收光子能量后激发产生电子‑空穴对，导致感光晶体管的阈值电压降低，使得感光晶体管迅速进入导通状态，允许写位线的电荷通过感光晶体管向存储节点充电，实现对光脉冲信号的“写入”。本发明利用双晶体管结构的弛豫特性，即使信号输入时间短暂，也能在较长的时间窗口内从读取电路中检测到可靠的电流变化，大大降低了检测任务对外围电路的精度要求，有效降低了硬件开销。
-
公开(公告)号：CN118609622A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410798460.7
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管存储单元提取模拟信号最大值的方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个场效应晶体管构成双晶体管存储单元，系统上电后，先对存储节点放电至0电位，然后在写位线与读位线分别施加高电平，写字线施加待检测信号，利用双晶体管存储单元得到一段时间内待测信号的电压最大值，通过读取读字线的电流读出存储在节点上的信号最大值，实现模拟信号最大值的提取。本发明可在模拟域实现信号关键特征的提取，有效提升了系统的能效，同时大幅降低硬件开销。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116451758B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310350594.8
申请日：2023-04-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种加权求和存内计算电路及存储器，其中的电路包括：呈对称分布的第一阵列(阵列A)和第二阵列(阵列B)，以及外围电路；其中，当使用第一阵列进行存内计算时，首先把第一阵列和第二阵列通过外围电路断开连接，向第一阵列输入预充电压及脉冲信号，并通过第一阵列执行按位矩阵向量乘法运算；随后第一阵列和第二阵列通过外围电路实现连接，第一阵列和第二阵列组成开关电容电路，以通过第二阵列获取与脉冲信号对应的模拟求和及模拟加权求和运算，并输出运算结果。当使用第二阵列进行存内计算时，过程与上述过程相似。利用上述发明能够保持位线上的电压稳定，减少ADC的开启次数，提高系统的能效与面积效率。
-
公开(公告)号：CN114121088B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111404135.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于阻变存储器的实现可调随机随机数序列方法，该方法利用阻变存储器操作周期间的电阻波动性实现随机数发生，则可获得随机数序列。利用本发明控制操作电流改变随机数的统计分布，通过逐渐增加操作电流，随机数分布方差减小，利用这一过程可以实现客体倾向性的转变。本发明对解决强化学习应用的边端部署问题具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN118335150A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410291761.0
申请日：2024-03-14
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请提供一种基于阻变存储器的高阶矩阵向量运算方法及相关设备。基于阻变存储器的高阶矩阵向量运算单元；所述基于阻变存储器的高阶矩阵向量运算单元，包括：晶体管以及阻变存储器；其中，所述晶体管包括漏极、栅极和源极；所述阻变存储器与所述漏极串联；所述方法包括：响应于所述栅极接收到第一输入信号，根据所述第一输入信号确定第一操作数；其中，所述第一输入信号表征所述晶体管的开启或者关闭；响应于所述漏极接收到第二输入信号，根据所述第二输入信号确定第二操作数；根据所述第一操作数、第二操作数以及所述阻变存储器的预存电导值确定所述源极的输出信号。
-
公开(公告)号：CN117850880A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410052428.4
申请日：2024-01-12
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种面向高误码率存储器的三级流水线BCH译码方法，属于集成电路技术领域。本发明将译码器进行三级流水线切割，切割为伴随式生成电路、差错方程生成电路、钱氏搜索电路，其得到差错方程的代数结构并未改变，而整个译码器的译码频率得到了成倍数的增加。采用本发明提高了译码频率，增加了译码器适用系统的范围。
-
公开(公告)号：CN117672307A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311660386.4
申请日：2023-12-06
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: G11C13/04 , H04N25/78 , H04N25/767 , H01L27/146 , G11C8/08 , G11C7/12
Abstract: 本发明公开了一种光感存算一体单元的控制方法及应用，属于微纳电子学技术领域，本发明感存算一体单元包括一个感光晶体管和一个读取晶体管，外界光强可照射至所述感光晶体管的沟道，并激发出电子空穴对，光激发产生的空穴在负栅压的作用下向栅介质漂移，并被界面陷阱捕获，可使感光晶体管的阈值电压负漂，将光学信息转变为电学信息，通过在栅电极施加正电压可擦除被陷阱捕获的空穴，在正栅压的驱动下，沟道中的电子将向栅介质漂移并与界面陷阱中的空穴复合，使感光晶体管的阈值电压恢复初值。采用本发明可以实现传感、存储以及计算功能，有效降低数据反复搬运造成的功耗，有望进一步提升边缘智能图像处理设备的能效。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
183
records
(took 0.027 seconds)
