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公开(公告)号：CN103262193B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180059821.7
申请日：2011-10-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G13/00 , C25D9/02 , C25D11/005 , C25D11/04 , C25D11/26 , C25D17/005 , C25D17/08 , H01G9/0029 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/012 , H01G9/15 , H01G13/006 , Y10T29/417
Abstract: 提供一种连结插座，即使在化成处理液、半导体层形成溶液具有腐蚀性的情况下，也能不污染化成处理液、半导体层形成溶液地制造电容器元件，在制造电容器元件的中途进行热处理时也能够无妨碍地实施热处理。本发明的连结插座（1）包括：设有插入口（37）的多个导电性的插座主体部（2）；和绝缘部（5），形成有多个能够收容插座主体部（2）的至少一部分的收容部（6），且在下面（5b）设有多个与收容部（6）的底面连通的小孔（7），绝缘部（5）由具有耐热性及耐腐蚀性的材料构成，插座主体部（2）的至少一部分被收容并固定于绝缘部（5）的收容部（6）内，插入口（37）与小孔（7）连通。
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公开(公告)号：CN105849837A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071069.1
申请日：2014-10-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/15 , H01G9/0032 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/07
Abstract: 本发明提供一种电解电容器阳极体，其特征在于，是通过将钨粉烧结而形成烧结体，对所述烧结体进行化学转化，从而在表面形成了由三氧化钨化合物构成的电介质层的电容器阳极体，所述三氧化钨化合物中的水合水的比例是相对于10个三氧化钨化合物分子为1个分子以下。通过使用本发明涉及的阳极体，能够制作相对于DC电压的电容量变化(偏电压依赖性)降低了的钨电容器。
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公开(公告)号：CN105493212A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047472.0
申请日：2014-07-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/042 , B22F1/0003 , B22F1/025 , B22F9/04 , C22C1/00 , C22C1/045 , C22C27/04 , H01G9/0029 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15
Abstract: 本发明提供一种电解电容器，该电解电容器使用将钨粉烧结而成的烧结体作为电容器的阳极体，所述钨粉含有锆元素和/或铪元素，两元素之中的任一含量多的元素的含量为0.04～1质量％，该元素局部存在于钨粒子表层。本发明的电解电容器的电容量大，电容量偏差小，并且LC特性良好。
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公开(公告)号：CN103269815B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180062302.6
申请日：2011-09-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 内藤一美
CPC classification number: H01G9/042 , B22F1/0096 , B22F1/02 , B22F3/10 , B22F2201/20 , C22C1/045 , C22C27/04 , H01G9/0525
Abstract: 本发明涉及钨粉、电容器的阳极体、电解电容器，钨粉的制造方法和电容器的阳极体的制造方法，该钨粉在粒子表面具有硅化钨（W5Si3等），硅含量为0.05～7质量%。钨粉的平均一次粒径为0.1～1μm，硅化钨从该粒子表面到50nm以内局部存在，在表面的一部分具有氮化钨、碳化钨、硼化钨中的至少一种，优选：磷元素的含量为1～500质量ppm，氧含量为0.05～8质量%，将钨、硅、氮、碳、硼、氧和磷的各元素除外的元素的含量为0.1质量%以下，优选：钨造粒粉的平均粒径为50～200μm，比表面积为0.2～20m2/g。根据本发明，可以提供漏电流（LC）性能良好的钨电容器。
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公开(公告)号：CN104380406A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380033048.6
申请日：2013-04-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在含有0.05～12质量％由含氧化合物形成的氧化剂的、液温62℃以下的水溶液中，使钨粉的烧结体表面层化学转化为介质，在低于水的沸点的温度下去除附着于细孔内表面等的全部或大部分水，接着使其在水的沸点以上的温度下干燥，通过包含以上步骤的制造方法，得到至少具有由以钨为主要成分的烧结体形成的阳极体、具有对阳极体表面进行化学转化而成的平滑表面的介质层、和在介质层上层叠而成的半导电体层的、高频区的容量高且泄漏电流少的电容器元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104205270A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017330.5
申请日：2013-05-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/042 , B22F3/10 , B22F5/00 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/15
Abstract: 本发明提供一种电容器的阳极体，由钨粉与三氧化钨粉的混合粉烧结而成的烧结体构成，所述三氧化钨粉相对于所述钨粉与所述三氧化钨粉的合计量的比例为1～13质量％。根据本发明，能够减少在电介质层上进行多次半导体前驱物的聚合的半导体层的形成次数，因此能够高效地制造在形成于钨烧结体的细孔内层与外表层的电介质层上，形成了由导电性高分子构成的半导体层的固体电解电容器元件。
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公开(公告)号：CN103988273A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280060494.1
申请日：2012-09-05
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0032 , C25D17/06 , H01G9/0029 , H01G9/0036 , H01G9/04 , H01G9/052 , H01G9/07 , H01G9/15 , H01G13/006
Abstract: 提供一种电容元件制造用夹具，其能够高精度地对处理液中的阳极体的浸渍位置进行控制，在电容元件的制造过程中需要热处理的情况下能够无障碍地进行热处理。具备第1基板11和沿着第1基板的下表面的平面部呈平行状配置的第2基板12以及安装于第2基板的下表面的多个插座1，第1基板11的下表面的第1电连接端子41分别与向电容器用阳极体供给电流的电源电连接，第2基板12的上表面的第2电连接端子42与插座1电连接，在第2基板12平行地重合配置在第1基板11的下表面侧时，第1电连接端子41与第2电连接端子42接触而电连接，插座通过该连接而与电源电连接，插座1具有将电容器用阳极体的导线电连接时的插入口37，插入口37朝向第2基板12的下方开口。
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公开(公告)号：CN103098158A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180040532.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/028 , H01G9/0029 , H01G9/15
Abstract: 固体电解质的制造方法，其包括：调制聚合液，该聚合液是使通过聚合形成导电性高分子的材料分散在液体介质中而成的；将基体浸在该聚合液中；一边使聚合液与基体相对地摇动一边进行电解聚合。通过在阳极体表面形成电介质层，采用前述固体电解质的制造方法在形成有电介质层的阳极体上形成固体电解质层，进而使用导电性糊剂在固体电解质层上层叠导电体层，用树脂封装所得到的元件，从而得到固体电解电容器。
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公开(公告)号：CN101015030B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200580030300.3
申请日：2005-09-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G13/00 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/028 , H01G9/042
Abstract: 本发明涉及一种电容器元件制造用反应容器、使用了该反应容器的电容器元件组的制造方法、使用了该电容器元件的电容器。本发明的电容器元件制造用反应容器，其特征在于，它是用于将在表面形成了电介质层的多个导电体同时浸渍在反应容器中的电解液中、利用通电方法形成半导体层的反应容器，在反应容器中设置与各个导电体对应的多个阴极，具有与各个阴极电连接着的多个恒流源。根据本发明，能够同时得到多个以半导体层为一方电极的、出现电容分布窄的电容器。
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