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公开(公告)号：CN102262213A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110102756.3
申请日：2011-04-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R31/317
Abstract: 本发明提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。
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公开(公告)号：CN102243261A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110079639.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种新型的电流检测电路，与传统电流检测电路相比，特征在于在比较器，在分压电阻两端并联了两个电阻。采用这种方法，可以很大范围降低比较器输入端电压。从低压电流检测到低电压电流检测均将适用。此电路结构不仅适用于由分离元件构成的电路中，也适用于芯片中的电流检测。对于低压工艺的芯片，采用该技术可以检测高压电路中的电流。
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公开(公告)号：CN101762750B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200810044194.X
申请日：2008-12-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/04
Abstract: 本发明提出通孔电阻测量结构及方法，以提高测量效率及质量。该结构包括：多条互连线，所述多条互连线相互垂直，分别处于集成电路中互不相同的金属层，且宽度及材质相同，各个互连线上均设置有多个电阻测量点；以及通孔，通孔的顶部和底部分别连接有一条互连线，其中所述通孔与互连线的连接端位于互连线的线端，连接端由互连线覆盖。
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公开(公告)号：CN102201703A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110080657.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供一种胶囊诊疗系统磁共振式无线供能方法和装置。本发明的典型特色是利用磁场共振技术来实现向体内胶囊诊疗系统高效供能的目的。整套装置由体外和体内两部分组成。体外部分主要包括通讯电路、控制电路、驱动电路、激励线圈、自谐振发射线圈等。体内部分主要包括三维自谐振接收线圈、三维能量输出线圈、整流滤波电路、负载、采样电路、模数转换电路、通讯电路等。其功效在于：能量转化效率高，对人体安全，使用方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102158189A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110102771.8
申请日：2011-04-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种新型的基于二级运放的共模反馈电路，与传统的共模反馈电路相比，极大地加快了共模反馈的速度和稳定度，其特征在于在二级运放的每一级加入共模反馈环路，每一级输出分别进行共模电压的稳定，即将传统的共模反馈环路分为两个，这样，环路长度变短，速度和稳定性得到很大提高。
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公开(公告)号：CN102157926A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110079354.6
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明提供了一种可以用于交流环境的限压保护电路，以降低系统静态功耗，减小衬底电流，消除闩锁效应。发明中所述的保护电路，包含电压初步检测电路，其静态电流几乎为零；包括一个大电流泄放通路，用以泄放在限幅发生时提供电荷泄放通路；包括两个辅助衬底晶体管，用以在交流环境中正确的偏置电路中所有P型场效应晶体管的衬底于最高电位，消除衬底电流，降低泄漏电流，确保电路正常稳定的工作，此外，为了提高限压保护电路的灵敏度，电路还可以包括一个运算放大器电路。
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公开(公告)号：CN102142459A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010607814.3
申请日：2010-12-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66712
Abstract: 本发明公开了一种CoolMOS结构，用以提高击穿电压，其中所述为该CoolMOS的制作结构，包括漂移区以及漂移区掺杂浓度的情况。该漂移区的掺杂浓度情况由虚线标出。该方法包括该漂移区制作的步骤，以及在漂移区制作的过程中调节漂移区的掺杂浓度而使其达到提高击穿电压的目的。该方法在不增加掩模板以及制造成本的前提下，提出一种新的方法来提高VDMOS的击穿电压。
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公开(公告)号：CN102130172A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010607818.1
申请日：2010-12-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。
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公开(公告)号：CN102082183A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010517430.2
申请日：2010-10-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: H01L29/87
Abstract: 本发明提供一种用于集成电路ESD保护的双向可控硅静电保护器件及系统。该ESD保护器件为2端口(A和K)的SCR器件，由结构包含五层(N1P2N3P4N5)结构中包含一个PNP三极管和2个NPN三极管，以及其中的串联寄生电阻。器件中间包含两个内建的NMOS管器件来降低器件的开启电压。使用该器件的全新篇静电保护系统较传统使用单向静电保护器件的系统相比在每个I/O管脚只需要使用一半数目的静电保护器件：在输入端或输出端分别只有两个该类型器件分别连接电源端和地端，从而完成被保护电路的全芯片静电保护。
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