公开(公告)号：CN101865943A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010186655.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 金宁 ,  金希根 ,  刘志东 ,  程玉华

IPC: G01R19/00 ,  H02M3/135

Abstract: 本发明提供了片上MOS管电流检测方法、结构及开关电源，以提高检测精度；该方法包括步骤：采集待检测MOS管的电流；采用片上MOS管检测结构，将采集到的电流进行三级以上缩小，获得检测电流。该结构包括：电流采集模块，用于采集待检测MOS管的电流；片上MOS管检测模块，用于将电流采集模块采集的电流进行三级以上缩小，获得检测电流。

公开(公告)号：CN101833349A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010186670.9

申请日：2010-05-27

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 丁启源 ,  程玉华 ,  冯亮 ,  侯鹏 ,  贾孟军 ,  鞠敏

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明提供了多基准电压发生电路，以提高基准电压的稳定性，其中所述基准电压发生电路，包括多基准电压发生结构，此外还包括用于接收外部电源的电压，并输出电压提供给所述发生结构的电源结构；该发生电路还可以包括负反馈电路，其中所述负反馈电路包括：采集模块，用于采集所述电源结构输出的电压的波动；放大模块，连接至采集模块，用于放大采集模块采集到的波动；负反馈模块，用于将放大模块放大的波动负反馈到所述电源结构，以减小所述电源结构后续输出电压的波动。

公开(公告)号：CN101762750A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810044194.X

申请日：2008-12-25

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张永红 ,  程玉华

IPC: G01R27/04

Abstract: 本发明提出通孔电阻测量结构及方法，以提高测量效率及质量。该结构包括：多条互连线，所述多条互连线相互垂直，分别处于集成电路中互不相同的金属层，且宽度及材质相同，各个互连线上均设置有多个电阻测量点；以及通孔，通孔的顶部和底部分别连接有一条互连线，其中所述通孔与互连线的连接端位于互连线的线端，连接端由互连线覆盖。