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公开(公告)号：CN114256207A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111519871.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/544 , H01L21/68 , G03F7/20
Abstract: 晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法，属于半导体技术领域，晶圆表面标记制作方法，包括涂胶工艺、曝光工艺和显影工艺，所述涂胶工艺为在晶圆表面涂布膜层，所述曝光工艺为通过光刻机对晶圆进行曝光，所述显影工艺为将晶圆浸入显影液中。扫描电镜内晶圆的定位方法，包括晶圆表面标记制作方法和扫描电镜内部定位方法。本发明在晶圆表面通过光刻机挡板制作标记，适用于4寸至8寸大尺寸晶圆在扫描电镜内部测量时快速定位，克服了仅使用掩膜版制作标记图形的技术偏见，解决了现有的大尺寸晶圆定位困难的问题，提高了量测效率。
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公开(公告)号：CN113972260A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111044550.X
申请日：2021-09-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件，包括：N+型衬底、N‑型漂移区、第一P区、P+接触区、N+接触区、位于第一P区和N+接触区之间的N型等效电阻区、栅介质层、槽栅、隔离介质层、源电极、漏电极。本发明提出的SiC MOSFET器件通过增加一个N型等效电阻区，起到串联电阻的作用，当器件发生短路时，降低了器件的饱和电流，提高了其短路能力。
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公开(公告)号：CN113908661A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111055375.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B01D53/04
Abstract: 本发明公开了一种立式径向流吸附器，包括筒体、下封头、上封头，下封头上设置有气体进气管，上封头上设置有气体出气管和吸附剂的装入口。在吸附床层和容器轴线间布有一两端开口的圆筒形隔板，该圆筒形隔板用来限制径向穿过床层轴向高度H以上区域内的空气，使其在流出吸附床层后沿圆筒形隔板形成一个Π形流动；其它区域空气保持原来的Z形流动。本发明实现了床层内部具有混合流动形式的立式径向流吸附器，且其所具有的可视化结构可外接粒子图像测速系统，以对其内的空气流速分布进行测量，实现气流径向均匀分布，空气在这种结构内部流动其流场会更加均匀，使得吸附剂利用率提高，相比于常规立式径向流吸附器具有更大的优越性。
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公开(公告)号：CN113540251B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111081863.2
申请日：2021-09-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提出一种优化排布的沟槽栅功率MOSFET器件，包括：衬底；形成于衬底上方的第一半导体区域，具有第一掺杂类型；互相孤立的沟槽隔离栅结构，形成于所述第一半导体区域上方，所述沟槽隔离栅结构包括栅氧层和栅极；形成于所述互相孤立的沟槽隔离栅结构之间的第二半导体区域和第三半导体区域；以及第一屏蔽区域，形成于第三半导体区域下方，同时连接多个互相孤立的沟槽隔离栅结构。这种结构能大幅降低沟槽栅功率MOSFET器件的元胞尺寸，提升器件的功率密度，能在提升器件通流能力的同时维持栅氧层的可靠性，获得器件性能与可靠性之间的优化与平衡。
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公开(公告)号：CN112201685A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010934164.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种超级结器件及电介质组合终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽内的多层电介质组合、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区。该终端包括的宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该侧壁注入区可以包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区。该终端包括的多层电介质组合中，每层电介质按照电介质常数从高到低，而从左至右，从上至下地排布。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，以及宽槽内部电介质中的电介质常数分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
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