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公开(公告)号：CN117245271A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311418119.6
申请日：2023-10-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提升金属/陶瓷钎焊接头高温性能的钎料及其制备方法和应用，涉及一种金属/陶瓷连接的活性钎料及其制备方法和应用。为了解决现有陶瓷和金属活性钎料钎焊过程中存在的高温软化现象的问题。本发明钎料由两个活性箔片层、以及设置在两个活性箔片层之间的三维纳米碳增强中间层组成。制备方法：将金属粉和固体碳源混合并进行水浴加热和烘干，热压和切割得到三维纳米碳增强中间层箔片，在两层活性箔片层之间放置三维纳米碳增强中间层箔片。本发明钎料钎料用于钎焊连接金属和陶瓷。本发明提升金属/陶瓷钎焊接头高温性能的钎料能够抑制脆性化合物相产生，缓解接头残余应力，提高接头的高温力学性能和高温强度。
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公开(公告)号：CN116275695A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310414360.5
申请日：2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/32 , B23K35/30 , B23K35/40 , B23K1/00 , B23K103/14
Abstract: 一种适用于钛合金钎焊的高强低溶蚀高熵钎料及其制备方法和应用，涉及一种高熵钎料及其制备方法和应用。为了解决现有的Ti基钎料钎焊钛合金时易产生溶蚀缺陷的问题。高熵钎料按原子百分比计由20～30％的Ti、20～30％的Zr、20～30％的Hf、5～10％的Cu、5～10％的Ni和5～10％的Co组成。制备方法：称取原料进行熔炼得到钎料铸锭；然后通过单辊旋淬法制备成非晶态高熵钎料箔材。应用：钎焊钛合金，待焊接合金的待焊表面去除表面油污和氧化物，将料箔材置于焊接合金的待焊表面之间进行钎焊。本发明高熵钎料能够提高钎焊接头性能的同时有效降低母材的溶蚀，提高接头的强度，适用于钛合金的钎焊。
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公开(公告)号：CN114346519B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210212390.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种TiAl合金钎焊用高熵钎料及其制备方法和应用，属于焊接技术领域，具体涉及一种高熵钎料及其制备方法和应用。本发明高熵钎料由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni、Co组成，或由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni组成，高熵钎料中各元素的原子百分比相同。制备方法：按化学成分称取原料，制备高熵钎料锭，吸铸得到细棒状高熵钎料锭；切割成箔片。应用为利用高熵钎料钎焊TiAl合金。本发明借助高熵合金的理论，采用高熵钎料钎焊TiAl合金，利用高熵效应和迟滞扩散效应对于钎焊过程中母材与钎料的互扩散以及接头中的金属间化合物具有重要的抑制作用。接头中母材的溶解现象得到抑制，脆性化合物含量减少，接头高温强度的稳定性得到提高。
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公开(公告)号：CN115955901A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310057795.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 郑州机械研究所有限公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/817 , H10N10/17
Abstract: 一种利用表面毛化的阻隔层连接方钴矿热电材料和电极的方法，涉及方钴矿热电材料与电极的连接技术领域。本发明的目的是为了解决现有针对方钴矿热电材料的焊接方法无法获得兼具高力学性能和低接触电阻接头的问题。方法：利用激光在阻隔层待焊面的表面刻蚀若干条平行的沟槽，将方钴矿热电材料与经毛化处理后的阻隔层进行一体化热压烧结，且阻隔层经毛化处理的一面朝向方钴矿热电材料；将钎料置于方钴矿热电材料与电极的待焊面之间，得到待焊工件A，对待焊工件A进行钎焊，或将方钴矿热电材料与电极的待焊面直接接触，得到待焊工件B，对待焊工件B进行扩散焊。本发明可获得一种利用表面毛化的阻隔层连接方钴矿热电材料和电极的方法。
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公开(公告)号：CN115319328A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211115362.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/24 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/14
Abstract: 一种用于焊接钛合金的非晶态高熵钎料、钎料的制备方法和钎焊钛合金的方法，涉及一种焊接钛合金的非晶态高熵钎料及制备方法和钎焊钛合金的方法。为了解决钛合金钎焊易产生脆性化合物的问题。钎料按原子百分比由15～35％的Ti、15～35％的Zr、15～35％的Cu、15～35％的Ni和2～8％的Sn组成。制备：称量好所需原料，原料进行熔炼得到钎料铸锭，使用单辊旋淬法制备非晶态高熵钎料箔材。钎焊钛合金的方法：将待焊表面打磨，将钎料箔材置于待焊表面之间，在钎焊炉中进行钎焊。本发明用于焊接钛合金的非晶态高熵钎料及制备方法，钎料具有优良的力学及耐蚀性能，与母材润湿性能良好，易于形成性能优良的钎焊接头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112427759B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202011163385.5
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，涉及一种ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法。目的是解决现有ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊时钎料对母材润湿性差、钎缝中易生成脆性化合物、金属母材过度溶解、以及接头残余应力大的问题。方法：Cu粉中加入ZrH2粉末，在Cu粉表面生长石墨烯，在加入ZrH2进行压片得到钎料箔片；组装后进行钎焊。本发明在Cu粉表面原位生长垂直少层石墨烯，制备了含有石墨烯增强复合钎料，降低了钎缝中脆性化合物占比，缓解了接头残余应力，提高了钎料对母材润湿性。避免了脆性化合物的生成，解决母材过度溶解的问题。本发明适用于ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊。
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公开(公告)号：CN112276275B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011163376.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用高热稳定合金复合中间层连接方钴矿热电材料和电极的方法，涉及一种连接方钴矿热电材料和电极的方法。目的是解决现有方钴矿热电材料焊接方法所得接头的连接接头热稳定性差和接触电阻大的问题。方法：一、方钴矿热电材料和电极清洗；二、使用电镀或物理气相沉积的方法制备中间连接层和扩散阻隔层，进行扩散焊；中间连接层材质为Co、Fe或Ni；扩散阻隔层材质为CoMo、CoW、FeMo或FeW。本发明利用中间连接层和扩散阻隔层所得接头具有低的接触电阻率，接头的热稳定性高。本发明适用于连接方钴矿热电材料和电极。
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公开(公告)号：CN110330356B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910641620.6
申请日：2019-07-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00 , B23K35/363
Abstract: 一种碳化硅陶瓷钎焊连接方法，涉及一种碳化硅陶瓷钎焊连接的方法。本发明的目的是要解决传统钎焊方法存在金属钎料润湿性差、残余应力大以及可焊工件较小等问题。方法：将Al2O3、SiO2以及CaO或CaCO3混合，研磨后烘干，熔融，水淬，再进行研磨，过筛，烘干，得到微晶玻璃钎料；将待钎焊的碳化硅陶瓷进行预处理，得到预处理后的碳化硅陶瓷；将微晶玻璃钎料与粘结剂混合均匀后涂覆于预处理后的碳化硅陶瓷之间，得到碳化硅陶瓷待焊连接件；将碳化硅陶瓷待焊连接件进行钎焊处理，然后随炉冷却，得到钎焊连接后的碳化硅陶瓷。本发明可获得一种碳化硅陶瓷钎焊连接方法。
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公开(公告)号：CN107570830B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201710966919.X
申请日：2017-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K35/36 , B23K103/18
Abstract: 一种CuO纳米结构增强的泡沫铜中间层辅助钎焊的方法，本发明涉及钎焊陶瓷或陶瓷基复合材料与金属的方法，它要解决现有的陶瓷或陶瓷基复合材料与金属钎焊连接中，残余应力较大的问题。钎焊方法：一、泡沫金属浸渍在NaOH和K2S2O8的混合溶液中，通过化学氧化法制备CuO纳米结构增强的泡沫铜中间层；二、打磨待焊金属、AgCuTi箔片、AgCu箔片和陶瓷或陶瓷基复合材料；三、将待焊金属、AgCuTi钎料箔片、CuO纳米结构增强的泡沫铜中间层、AgCu钎料箔片及陶瓷或陶瓷基复合材料依次叠放；四、待焊件真空钎焊。本发明通过CuO纳米结构与Ti原位反应，生成增强相，细化并增强钎缝基体组织，提高接头的力学性能。
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公开(公告)号：CN114029601A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111501410.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金箔中间层低温扩散连接Ti3SiC2陶瓷的方法，涉及一种连接Ti3SiC2陶瓷的方法。为了解决现有的Ti3SiC2陶瓷扩散连接方法的连接温度高的问题。方法：Ti3SiC2陶瓷的焊前切割、打磨和清洗处理；金箔平整、打磨和清洗；装配得到装配件；真空扩散连接。本发明采用金箔中间层进行低温扩散连接，Au元素较低温度下与Ti3SiC2相陶瓷中的Si元素、Al元素发生取代使得金箔中间层与Ti3SiC2陶瓷在600～650℃发生剧烈的互扩散，从而实现Ti3SiC2陶瓷的低温扩散连接。采用金箔作为中间层扩散连接得到的接头具有良好的抗腐蚀性。本发明适用于连接Ti3SiC2陶瓷。
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