表面处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板的制造方法

    公开(公告)号:CN111902570A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201980020875.9

    申请日:2019-03-22

    Abstract: 本发明提供与树脂的密合性、耐化学药品性及耐热性优异、并且蚀刻残渣不易残留、由此在印刷电路板的制造中可提高铜箔‑基材间以及基材‑基材间这两者的密合可靠性的表面处理铜箔。该表面处理铜箔具备:铜箔和设置于铜箔的至少一面的Zn‑Ni‑Mo层,所述Zn‑Ni‑Mo层的Zn附着量为3mg/m2以上且100mg/m2以下、Ni附着量为5mg/m2以上且60mg/m2以下、且Mo附着量为2.0mg/m2以上且40mg/m2以下,并且,Ni附着量相对于Zn附着量、Ni附着量以及Mo附着量的合计量的比率即Ni/(Zn+Ni+Mo)为0.40以上且0.80以下。

    粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板

    公开(公告)号:CN118843718A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202380025947.5

    申请日:2023-03-16

    Abstract: 提供能够兼顾与热塑性树脂的高密合性和优异的高频特性的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的偏斜度Ssk大于0.35。粗糙化处理面具有多个粗糙化颗粒,每1μm2的粗糙化颗粒的体积为0.040μm3以上且0.090μm3以下。Ssk是依据JIS B0681‑2:2018在不进行基于S滤波器的截止且基于L滤波器的截止波长为1.0μm的条件下测定的值。每1μm2的粗糙化颗粒的体积是基于粗糙化颗粒的平均高度H、粗糙化颗粒的平均根部面积A1、和观察面积A2中的粗糙化颗粒的颗粒数N,利用H×A1×(N/A2)的公式算出的值。

    粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板

    公开(公告)号:CN117480282A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202280039574.2

    申请日:2022-06-01

    Abstract: 提供一种在用于覆铜层叠板和/或印刷电路板的情况下,能够兼顾优异的传输特性和高剥离强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的、基于突出峰部的实体体积Vmp、中心部的实体体积Vmc和峰顶点密度Spd并通过(Vmp+Vmc)/Spd的公式计算出的微小顶端颗粒体积为1.300μm3/个以下,且截面高度差Rdc为0.95μm以上。Vmp、Vmc和Spd是依据ISO25178测定的值,Rdc是依据JIS B0601‑2013以负载长度比20%和80%处的高度方向的截面高度c之差的形式得到的值。

    覆铜层叠板及印刷电路板
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115997048A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202180045546.7

    申请日:2021-07-14

    Abstract: 提供即使使用属于低介电常数的热塑性树脂的氟树脂,铜箔与树脂也以高耐热密合力接合的覆铜层叠板。该覆铜层叠板包含:表面处理铜箔,其具备铜箔和在该铜箔的至少一面设置的含锌层;以及片状的氟树脂,其设置在表面处理铜箔的含锌层侧。含锌层由Zn和熔点为1200℃以上的过渡元素M构成。利用辉光放电发射光谱分析法(GD‑OES)对铜箔与含锌层的界面进行元素分析时,Zn的发光强度IZn相对于Cu的发光强度ICu的比即发光强度比IZn/ICu为3.0×10‑3以下,并且Zn的发光强度IZn相对于过渡元素M的发光强度IM的比即发光强度比IZn/IM为0.30以上且0.50以下。

    粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板

    公开(公告)号:CN115413301A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202180023459.1

    申请日:2021-03-16

    Abstract: 提供用于覆铜层叠板和/或印刷电路板时可兼顾优异的传输特性和高剥离强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的突出峰部高度Spk(μm)相对于依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的偏斜度Ssk之比、即微粒前端直径指数Spk/Ssk为0.20以上且1.00以下,并且,依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为64μm的条件下测定的十点区域高度S10z为2.50μm以上。

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