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公开(公告)号：CN109148475B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201810618241.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/121
Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括公共有源图案、第一栅电极和第二栅电极。公共有源图案包括NMOS区、PMOS区以及与NMOS区和PMOS区在同一层中的硅化物区。硅化物区将NMOS区电连接到PMOS区。NMOS区包括第一沟道区和接触第一沟道区的n掺杂区。PMOS区包括第二沟道区和接触第二沟道区的p掺杂区。第一栅电极与第一沟道区叠置，第二栅电极与第二沟道区叠置。
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公开(公告)号：CN114664258A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111565598.5
申请日：2021-12-20
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/3233 , G09G3/20 , G09F9/30 , H01L27/32
Abstract: 电子装置包括显示面板、扫描驱动电路以及数据驱动电路。显示面板包括多条扫描线、多条数据线以及多个像素。扫描驱动电路被配置为向多条扫描线施加扫描信号。数据驱动电路被配置为向多条数据线施加数据信号。多条扫描线在第一方向上延伸。扫描驱动电路和数据驱动电路布置在第一方向上。
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公开(公告)号：CN113140594A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011449241.6
申请日：2020-12-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 在颜色混合减少的有机发光显示设备中，有机发光显示设备包括基板；设置在基板上以彼此间隔开的多个像素电极；设置在基板上的并且覆盖多个像素电极中的每一个的边缘以暴露多个像素电极中的每一个的中心部分的像素限定层；和设置在像素限定层上以彼此间隔开的多个间隔件，其中多个间隔件中的每一个在朝着最靠近的像素电极的方向上的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层覆盖的部分之间的距离为约3μm或更小。
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公开(公告)号：CN112216725A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010644355.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一像素电极、第一中间层以及绝缘层，衬底包括第一透射区域、第二透射区域以及位于第一透射区域和第二透射区域之间的像素区域，第一像素电极位于像素区域中，第一中间层布置在第一像素电极上以发射第一颜色的光，并且绝缘层覆盖第一像素电极的边缘并且通过暴露第一像素电极的一部分的第一开口来限定第一发射区域。第一分隔壁在第一发射区域和第一透射区域之间布置在绝缘层上。第二分隔壁在第一发射区域和第二透射区域之间布置在绝缘层上。相对电极在像素区域中布置在第一中间层上并且部分接触第一分隔壁和第二分隔壁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112186006A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010624757.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了显示装置。显示装置包括第一数据线、第二数据线、连接线和辅助线，其中，第一数据线排列在衬底的显示区域中并且在第一方向上延伸，第二数据线排列在显示区域中并且在第一方向上延伸，连接线排列在显示区域中并且包括与第一数据线平行的第一部分、与第二数据线平行的第三部分和位于第一部分与第三部分之间的第二部分，其中，连接线电连接到第二数据线，并且辅助线与第一数据线或第二数据线重叠。
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公开(公告)号：CN102082077B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201010517117.9
申请日：2010-10-15
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/56
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/0206 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/477 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；半导体层，设置在缓冲层上；栅绝缘层，设置在基底的上方并设置在半导体层上；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极和漏电极，均电连接到半导体层；金属硅化物，设置在缓冲层和半导体层之间。
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公开(公告)号：CN113140594B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202011449241.6
申请日：2020-12-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 在颜色混合减少的有机发光显示设备中，有机发光显示设备包括基板；设置在基板上以彼此间隔开的多个像素电极；设置在基板上的并且覆盖多个像素电极中的每一个的边缘以暴露多个像素电极中的每一个的中心部分的像素限定层；和设置在像素限定层上以彼此间隔开的多个间隔件，其中多个间隔件中的每一个在朝着最靠近的像素电极的方向上的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层覆盖的部分之间的距离为约3μm或更小。
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公开(公告)号：CN111211057B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201911148619.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/67 , H10K59/121
Abstract: 公开了显示装置及其制造方法。显示装置包括基础衬底、有源图案和栅电极，位于基础衬底上的有源图案包括源区、漏区和掺杂在源区与漏区之间的沟道区，沟道区包括晶体硅，并且栅电极与有源图案的沟道区重叠。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。
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公开(公告)号：CN118015920A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311475323.1
申请日：2023-11-08
Abstract: 提供了显示装置和用于制造显示装置的方法。该显示装置包括：显示面板，包括在第一方向上排列的第一区域和第二区域；第一支承层，布置在显示面板下方，与第一区域重叠，并且包括多个开口；多个支承杆，在第一方向上彼此间隔开，布置在第一支承层下方，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及结合构件，布置在第一支承层与多个支承杆之间并且包括结合金属。
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