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公开(公告)号:CN115412065A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202210588615.5
申请日:2022-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种发射器电路、选择电路和操作选择电路的方法。发射器电路包括:时钟生成器,其被配置为生成具有不同相位的多个时钟信号;以及多个选择电路,其被配置为接收多个并行数据信号,以及基于多个时钟信号和接收的多个并行数据信号在输出节点输出串行数据信号。多个选择电路中的每一个包括:数据多路复用器,其被配置为基于多个并行数据信号中的接收到的一个和多个时钟信号生成多个数据选择信号;控制信号生成器,其被配置为基于多个数据选择信号生成第一控制信号和第二控制信号;以及输出驱动器,其连接至输出节点,并且被配置为:基于第一控制信号为输出节点预充电,或者基于第二控制信号将输出节点放电。
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公开(公告)号:CN115408325A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202210550849.0
申请日:2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种接收并行信号并且响应于并行信号而输出串行信号的发送器电路及其操作方法。所述发送器电路可以包括:时钟生成器,其生成具有各自不同的相位的第一时钟信号;复用器,其包括选择电路,所述选择电路分别被配置为响应于第一时钟信号中的至少两个而将并行信号中的至少两个选择性地提供到输出节点;以及输出驱动器,其通过放大输出节点处的信号来生成串行信号。
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公开(公告)号:CN118230777A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202311163069.1
申请日:2023-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C7/22 , G11C11/4076 , G11C11/4093 , G11C11/4096
Abstract: 提供了发送器、存储器件和包括该发送器的半导体器件。发送器被配置为并行地接收第一数据至第N数据并且响应于相位彼此不同的第一时钟信号至第N时钟信号来顺序地输出第一数据至第N数据,其中N是至少为2的整数,发送器包括:第一数据选择器至第N数据选择器,包括与第一数据至第N数据对应的第一数据选择器和第二数据选择器,第一数据选择器至第N数据选择器中的每一者被配置为:对第一数据至第N数据中的一者和第一时钟信号至第N时钟信号执行逻辑运算并且输出多个数据选择信号;第一前置驱动器,与第一数据选择器至第N数据选择器当中的至少两个数据选择器对应,第一前置驱动器被配置为:从至少两个数据选择器接收多个数据选择信号。
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公开(公告)号:CN116072167A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202211012386.9
申请日:2022-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22 , G11C7/12 , G11C11/4096 , G11C11/4072
Abstract: 提供了存储器装置、主机装置和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括:数据信号生成器,被配置为将数据信号提供给发送驱动器;发送驱动器,被配置为基于数据信号输出具有第一信号电平至第三信号电平中的任意一个的多电平信号;命令解码器,被配置为从存储器装置的外部接收反馈信号并且对反馈信号进行解码;数据信号控制器,被配置为基于命令解码器的解码结果调整数据信号;和驱动强度控制器,被配置为基于命令解码器的解码结果调整第一信号电平至第三信号电平中的至少一个。
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公开(公告)号:CN111416188B
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202010013093.7
申请日:2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种多模式传输线和包括该多模式传输线的存储装置。所述多模式传输线包括第一导电层和第二导电层、第一波导壁和第二波导壁、带状线以及盲导体。第二导电层形成在第一导电层上方。第一波导壁在第一方向上延长,并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触。第二波导壁平行于第一波导壁在第一方向上延长,并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触。带状线形成在第一导电层与第二导电层之间以及在第一波导壁与第二波导壁之间。盲导体连接到第一导电层、第二导电层、第一波导壁和第二波导壁中的一个。
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公开(公告)号:CN114388013A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202110911117.5
申请日:2021-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储系统,包括:存储控制器,在第一时间间隔期间基于具有N(N是3或更大的自然数)个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送命令、地址或数据,所述存储控制器在第二时间间隔期间基于具有两个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送在所述第一时间间隔期间未发送的命令、地址或数据;以及存储器件,在脉冲幅度调制(PAM)‑N模式下对在所述第一时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样,所述存储器件在非归零(NRZ)模式下对在所述第二时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样。
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公开(公告)号:CN114252663A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202111090216.8
申请日:2021-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种探针设备,包括:第一接收端,被配置为接收具有M个电平的多电平信号,其中M为大于2的自然数;第二接收端,被配置为接收参考信号;接收缓冲器,包括:连接至第一接收端的第一输入端、连接至第二接收端的第二输入端、以及被配置为基于从第一输入端和第二输入端接收的信号来输出多电平信号的输出端;以及,电阻器电路,包括连接至第一接收端和第二接收端的多个电阻器,并且确定第一接收端和第二接收端的端接电阻的大小。
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公开(公告)号:CN114242129A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111058694.0
申请日:2021-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种存储设备包括:存储单元阵列;以及发送器,其中,发送器包括脉冲幅度调制(PAM)编码器,被配置为根据从存储单元阵列读取的数据来生成基于PAM‑n的第一输入信号,其中n是大于或等于4的整数;前置驱动器,被配置为:基于第一输入信号并基于校准码信号来生成第二输入信号,并使用第一电源电压来输出第二输入信号;以及驱动器,被配置为:响应于第二输入信号,使用低于第一电源电压的第二电源电压,输出PAM‑n DQ信号。
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公开(公告)号:CN114121062A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202110632473.3
申请日:2021-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了多电平信号接收器、存储器系统和电子设备。所述多电平信号接收器包括数据采样器电路和参考电压生成器电路。数据采样器电路包括将多电平信号与M‑1个参考电压进行比较的M‑1个感测放大器,多电平信号具有彼此不同的M个电压电平中的一个。数据采样器电路生成包括N个位的数据信号,M是大于2的整数,并且N是大于1的整数。参考电压生成器电路为生成所述M‑1个参考电压。所述M‑1个感测放大器中的至少两个感测放大器具有不同的感测特性。
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公开(公告)号:CN111416188A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010013093.7
申请日:2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种多模式传输线和包括该多模式传输线的存储装置。所述多模式传输线包括第一导电层和第二导电层、第一波导壁和第二波导壁、带状线以及盲导体。第二导电层形成在第一导电层上方。第一波导壁在第一方向上延长,并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触。第二波导壁平行于第一波导壁在第一方向上延长,并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触。带状线形成在第一导电层与第二导电层之间以及在第一波导壁与第二波导壁之间。盲导体连接到第一导电层、第二导电层、第一波导壁和第二波导壁中的一个。
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