有机电致发光显示器及其驱动方法

    公开(公告)号:CN1623178A

    公开(公告)日:2005-06-01

    申请号:CN02828473.9

    申请日:2002-09-19

    Abstract: 一种有机电致发光显示器的像素电路包括:电致发光设备、第一和第二开关设备、驱动薄膜晶体管、以及电容器。第一开关设备响应于施加到扫描线上的选择信号来切换施加到数据线上的数据电压以及第二开关设备响应于施加到补偿线上的补偿信号来连接驱动薄膜晶体管的栅极和漏极。驱动薄膜晶体管响应于从第一开关设备输入到栅极的数据电压来将电流提供到有机电致发光设备,并且电容器将施加到驱动薄膜晶体管的栅极的数据电压保持预定的周期。此时,通过在施加数据电压之前将补偿信号施加到补偿线来连接驱动薄膜晶体管的栅极和漏极,从而补偿晶体管的特性偏移,然后在切断补偿信号之后,将数据电压施加到数据线上。以这种方式,能对驱动薄膜晶体管的特性偏移进行补偿。

    薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1841779B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200610059123.8

    申请日:2006-03-14

    CPC classification number: H01L27/1296 H01L29/04

    Abstract: 本发明涉及一种TFT、一种TFT阵列面板和制造TFT阵列面板的方法。制造TFT阵列面板的方法包括:在基板上形成彼此分开的第一电极和第二电极;在基板上形成包括非晶硅和多晶硅的硅层;通过构图硅层形成半导体;在半导体上形成栅极绝缘层;形成第三电极来与栅极绝缘层上的半导体重叠;在第三电极上形成钝化层;以及在钝化层上形成像素电极。因为TFT在TFT的沟道区包括多晶硅,所以TFT阵列面板具有高的迁移率。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1879054A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200480033271.1

    申请日:2004-09-16

    Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法。用于LCD的薄膜晶体管阵列面板用于以独立方式驱动各个像素的电路板。本发明提供了像素电极和把栅极线和数据线的扩展部分连接到外部电路的接触辅助,它们具有包括IZO层和ITO层的双层结构。ITO层设置在IZO层上。在本发明中,像素电极形成为具有IZO层和ITO层的双层以避免在总体测试过程中布线被ITO蚀刻剂破坏并防止探针上的异物堆积。在本发明中,可以仅接触辅助形成为具有IZO层和ITO层的双层,以防止在总体测试过程中探针上的异物堆积。由于减小了ITO的消耗,降低了制造成本。

    薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1841779A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610059123.8

    申请日:2006-03-14

    CPC classification number: H01L27/1296 H01L29/04

    Abstract: 本发明涉及一种TFT、一种TFT阵列面板和制造TFT阵列面板的方法。制造TFT阵列面板的方法包括:在基板上形成彼此分开的第一电极和第二电极;在基板上形成包括非晶硅和多晶硅的硅层;通过构图硅层形成半导体;在半导体上形成栅极绝缘层;形成第三电极来与栅极绝缘层上的半导体重叠;在第三电极上形成钝化层;以及在钝化层上形成像素电极。因为TFT在TFT的沟道区包括多晶硅,所以TFT阵列面板具有高的迁移率。

    显示装置及其制造方法和设备

    公开(公告)号:CN1658253A

    公开(公告)日:2005-08-24

    申请号:CN200510054250.4

    申请日:2005-02-18

    CPC classification number: H01L51/0005 H01L27/3223

    Abstract: 一种显示装置,包括基板、第一和第二电极以及第一、第二、第三和第四有机图案。该基板包括具有第一像素区的第一区域、具有第二像素区的第二区域以及具有第三像素区的第三区域。该第一电极设置在第一、第二和第三像素区。该第一有机图案在第一像素区形成。该第二有机图案在选中的若干第二像素区形成。该第二有机图案具有与第一有机图案基本相同的外形。该第三有机图案在剩余的若干第二像素区中形成。该第四有机图案在第三像素区中形成。该第四有机图案具有与第三有机图案基本相同的外形。第二电极覆盖第一、第二、第三和第四有机图案。因此,提高了图像显示质量。

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