公开(公告)号：CN112306900A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010574788.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵显守 ,  金东民 ,  李京伯

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0802 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/0895

Abstract: 提供一种存储装置和存储系统的操作方法。一种存储装置包括：非易失性存储器装置，包括第一区域、第二区域和第三区域；和控制器，从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令，响应于第一写入命令而接收与第一逻辑块地址对应的第一数据，并将第一数据存储在非易失性存储器装置中，当第一写入命令包括区域信息时，控制器基于区域信息将第一数据存储在第一区域或第二区域中，当第一写入命令不包括区域信息时，控制器将第一数据存储在第三区域中，第一区域和第二区域中的每个包括均存储“n”个比特的存储器单元(n为正整数)，并且第三区域包括均存储“m”个比特的存储器单元(m为大于n的正整数)。

公开(公告)号：CN112306393A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010697176.2

申请日：2020-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东民 ,  尹松虎 ,  金荣文 ,  朴正雨 ,  李京伯

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开一种存储装置。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括第一区域和第二区域，第一区域包括被配置为存储n比特数据的存储器单元，第二区域包括被配置为存储m比特数据的存储器单元；以及存储器控制器，其中，n和m是自然数，并且n小于m。第一区域包括第一区和第二区，第二区域包括第三区。存储器控制器被配置为执行对第一区或第二区的turbo写入操作和对第三区的正常写入操作中的一个，并且被配置为执行对第一区或第二区的turbo读取操作和对第三区的正常读取操作中的一个。

公开(公告)号：CN110175138A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201811454417.X

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东佑 ,  卢载善 ,  尹松虎 ,  李京伯 ,  郑郁翰

IPC: G06F12/0873 ,  G06F12/1009

Abstract: 公开了一种支持高速缓存的物理地址验证的存储装置及操作其的方法。所述存储装置包括：解扰模块，被配置为将包括逻辑区块地址(LBA)信息和第一元信息的读取命令的至少部分解扰为第一签名信息和用于访问闪存的第一物理地址(PA)信息。比较模块被设置，其中，所述比较模块被配置为比较第一签名信息与存储的签名信息，从而确定第一签名信息与存储的签名信息之间相等或不等。访问模块被设置，其中，访问模块被配置为在所述比较模块确定相等时，使用第一PA信息来访问闪存的数据区域。