公开(公告)号：CN115966452A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211245254.0

申请日：2022-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵星辉 ,  金成烈 ,  林美贤 ,  林成龙 ,  郑盛夏 ,  千雄振

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：室，其包括支承件，所述支承件被配置为在其上安装有衬底；至少一个通道，其设置在所述室中，并且导电流体或非导电流体被配置为注入所述至少一个通道中；以及控制单元。控制单元包括：第一泵和第二泵，其被配置为分别将所述导电流体和所述非导电流体供应至所述至少一个通道；以及第一阀，其被配置为分别从所述第一泵和所述第二泵接收所述导电流体和所述非导电流体，并且控制所述导电流体和所述非导电流体注入所述至少一个通道中的比例。

公开(公告)号：CN109698110A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811235291.7

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  姜姓佶 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  舆石公 ,  V.帕什科夫斯基 ,  许桄熀

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32596 ,  H01J1/025 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。