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公开(公告)号：CN117316966A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310715107.3
申请日：2023-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一层，所述第一层包括布置在位于第一衬底中的多个像素区域中的多个光电二极管、设置在所述第一衬底的上表面上的光学区域以及元件区域，其中，在所述多个像素区域中的至少一个像素区域中，所述元件区域包括第一杂质区域、设置在所述第一杂质区域与所述多个光电二极管中的相应光电二极管之间的第一转移栅极、与所述第一杂质区域隔离的第二杂质区域以及设置在所述第二杂质区域与所述多个光电二极管中的相应光电二极管之间的第二转移栅极；以及第二层，所述第二层包括与所述第一层堆叠的第二衬底，其中所述第二层包括通过第一接触连接到所述第一杂质区域的第一晶体管，以及通过第二接触连接到所述第二杂质区域的第二晶体管。
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公开(公告)号：CN112911173B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110151280.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/59 , H04N25/778 , H04N25/589 , H04N25/616 , H04N23/76 , H04N25/44 , H04N25/585 , H04N25/10
Abstract: 一种图像传感器包含像素阵列，该像素阵列包含沿着多个行和多个列排列的多个单元像素。多个单元像素中的每个包含：光电转换元件，该光电转换元件生成并且积累光电荷；电荷检测节点，该电荷检测节点接收在光电转换元件中积累的光电荷；读出电路，该读出电路将积累的并且从电荷检测节点输出的光电荷转换为电像素信号，该读出电路输出该电像素信号；电容元件；以及开关元件，该开关元件控制电荷检测节点与电容元件之间的连接。所述像素阵列中的所述行中的每个包含连接到第一转换增益控制线的第一像素和连接到第二转换增益控制线的第二像素。
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公开(公告)号：CN116564979A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310047013.3
申请日：2023-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器。图像传感器包括：半导体衬底，其包括光电转换区域；掩埋传输栅电极，其设置在传输栅极沟槽中；鳍型有源区域，其设置在延伸到半导体衬底中的第一沟槽与第二沟槽之间，其中，鳍型有源区域包括第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域、以及设置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间的沟道区域；以及第一栅电极，其覆盖鳍型有源区域的顶表面和两个侧壁、以及第一沟槽和第二沟槽的内壁。沟道区域、第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域各自具有第一导电类型。光电转换区域和鳍型有源区域与沿着竖直方向重叠。
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公开(公告)号：CN115589544A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210638565.7
申请日：2022-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种图像感测装置。所述图像感测装置包括：光电元件，被配置为响应于光生成电荷；第一浮置扩散部和第二浮置扩散部，被配置为存储电荷；传输门，具有被连接到光电元件的第一端和连接到第一浮置扩散部的第二端；复位晶体管，被配置为基于复位信号复位第一浮置扩散部和第二浮置扩散部的电压；第一双转换增益晶体管，具有连接到第一浮置扩散部的第一端和连接到第二浮置扩散部的第二端；第一像素电路和第二像素电路，被配置为基于第一浮置扩散部和第二浮置扩散部生成第一输出电压和第二输出电压；第一模数转换器和第二模数转换器，被配置为接收第一输出电压和第二输出电压并将第一输出电压和第二输出电压转换为第一数字信号和第二数字信号。
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公开(公告)号：CN112866592A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011051961.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H04N5/14 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和操作成像装置的方法。所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112929585B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011036929.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/704 , H04N23/67 , H04N25/60 , H10F39/12 , H10F39/18
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。
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公开(公告)号：CN117880647A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311212035.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
Abstract: 提供了图像传感器、操作该图像传感器的方法和图像处理装置。所述图像传感器包括像素阵列、模数转换电路和图像信号处理器。所述像素阵列的像素基于在第一曝光时间期间累积的电荷量生成第一模拟信号，并且基于在较短的第二曝光时间期间累积的电荷量生成第二模拟信号。所述模数转换电路可以基于所述第一模拟信号和第一斜坡信号生成第一数字信号，并且可以基于所述第二模拟信号和第二斜坡信号生成第二数字信号。所述图像信号处理器可以基于所述第一数字信号和所述第二数字信号生成图像数据。所述第一斜坡信号可以在斜坡时间或斜坡起始电压电平中的至少一者方面不同于所述第二斜坡信号。
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公开(公告)号：CN117594617A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310664861.9
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器被公开。所述图像传感器包括：多个第一光电转换元件，包括在像素的第一区域中；多个第二光电转换元件，包括在像素的第二区域中；第一溢出电容器，连接到所述多个第一光电转换元件，以存储所述多个第一光电转换元件的溢出电荷；第二溢出电容器，连接到所述多个第二光电转换元件，以存储所述多个第二光电转换元件的溢出电荷；以及一个或多个微透镜，设置在像素上。
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公开(公告)号：CN117438438A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310262524.7
申请日：2023-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽以限定像素区域；用第一导电类型的掺杂剂掺杂所述沟槽；在用所述第一导电类型的掺杂剂掺杂所述沟槽之后，用第二导电类型的掺杂剂掺杂所述沟槽；在掺杂所述沟槽之后，在所述沟槽中形成绝缘衬垫图案；在形成所述绝缘衬垫图案之后对所述半导体衬底执行第一热处理工艺；以及在执行所述第一热处理工艺之后形成填充所述沟槽的内部空间的填充图案。所述第一导电类型的所述掺杂剂的扩散系数大于所述第二导电类型的所述掺杂剂的扩散系数。所述第一热处理工艺将所述第一导电类型的所述掺杂剂和所述第二导电类型的所述掺杂剂同时扩散到所述半导体衬底中。
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公开(公告)号：CN115225835A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210259465.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/355 , H04N9/04 , H01L27/146
Abstract: 提供了相机模块和相机模块的操作方法。所述相机模块包括：多个像素，每个像素包括第一子像素至第四子像素；行驱动器，通过多条行线连接到所述多个像素；模数转换电路，通过多条列线连接到所述多个像素，并且将所述多条列线的信号转换为数字值；以及逻辑电路。第一子像素至第四子像素中的每个包括第一区域和第二区域。第一区域和第二区域中的每个包括光电检测器。响应于行驱动器激活包括在所述多个像素之中的一个像素中的一半或更少的光电检测器的信号，模数转换电路生成第一信号。逻辑电路基于第一信号生成自动对焦信号。
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