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公开(公告)号：CN115707251A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210920818.X
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/50
Abstract: 一种半导体器件包括：下绝缘膜，在基板上包括第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽中的第一布线；在第二沟槽中的第二布线；盖绝缘膜，包括绝缘凹陷部分和绝缘衬垫部分；在盖绝缘膜上的上绝缘膜；以及上接触，穿透盖绝缘膜并连接到第一布线。绝缘凹陷部分在第二沟槽中，绝缘衬垫部分沿着下绝缘膜的上表面延伸。上接触包括在第一沟槽中的接触凹陷部分、连接到接触凹陷部分的扩展部分、以及在上绝缘膜内部连接到扩展部分的插塞部分。扩展部分的宽度大于插塞部分的宽度。
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