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公开(公告)号:CN1613030A
公开(公告)日:2005-05-04
申请号:CN02827016.9
申请日:2002-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F2201/52
Abstract: 红、蓝和绿色像素依次分布在行方向。红和绿色像素沿列方向交替分布,而蓝色像素分布在相邻红和绿像素之间,而各蓝像素被四个红和绿色像素围绕。栅极线布置在各个像素行。数据线以绝缘的方式与栅极线交叉并分布在各个像素列。像素电极和薄膜晶体管分布在各个像素处。在预定的像素单元处,两个蓝色像素处的数据线彼此连结。像素电极经由低介电有机材料或绝缘材料如SiOC、SiOF的钝化层与栅极线或数据线重叠。
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公开(公告)号:CN1511432A
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN02810619.9
申请日:2002-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/524
Abstract: 提供一种有机EL器件及其制造方法。其上形成有阳极、有机发光层和阴极的有效显示区被金属罩、玻璃盖或有机/无机材料密封。通过从有效显示区延伸至非有效显示区的能量传送部分给阳极和阴极供电。因此,可以减少有机EL器件阴极的氧化,从而防止阴极的电接触性能恶化。
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公开(公告)号:CN1503921A
公开(公告)日:2004-06-09
申请号:CN02808276.1
申请日:2002-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F2201/52 , G09G3/3614
Abstract: 红、蓝和绿色像素顺序地排列成行。红和绿色像素交替地排成列而蓝色像素重复地排成列。在兰色像素周围的两个相邻且相互面对的像素行中,四个红和绿色像素围绕两个蓝色像素。门线被设置在相应行中以传送扫描信号。数据线以绝缘方式交叉在门线上方并排列在相应的列,以便传送图像信号。像素电极和薄膜晶体管形成在相应像素。蓝色像素具有等于或小于红和绿色像素的面积。像素电极通过诸如SiOC、SiOF的低介电有机材料或绝缘材料的钝化层而与门或数据线重叠。
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公开(公告)号:CN103208262B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201210539284.2
申请日:2012-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: H03K3/012 , G09G3/3674 , G09G2310/0286 , G09G2330/021 , G11C19/184 , G11C19/28
Abstract: 一种栅极驱动电路包括:上拉控制部、上拉部、进位部、第一下拉部、以及第二下拉部。上拉控制部将来自之前的级的进位信号施加到第一节点。上拉部输出基于时钟信号的第N栅极输出信号。进位部响应于施加到第一节点的信号,输出基于时钟信号的第N进位信号。第一下拉部包括彼此串联连接的多个晶体管。第一下拉部响应于之后的级的进位信号,将第一节点处的信号下拉到第二截止电压。第二下拉部响应于之后的级的进位信号,将第N栅极输出信号下拉到第一截止电压。
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公开(公告)号:CN100504555C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200510109671.2
申请日:2005-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F1/134363 , G02F2001/134372 , G02F2001/136245
Abstract: 在所提供的液晶显示装置中,第一开关元件接收第一数据信号,第二开关元件接收与所述第一数据信号极性相反的第二数据信号。第一像素电极电连接至所述第一开关元件,以接收第一数据信号;第二像素电极电连接至第二开关元件,以接收第二数据信号。第二像素电极与第一像素电极相对,并与所述第一像素电极电绝缘。液晶层具有响应分别施加到所述第一和第二像素电极的第一和第二数据信号而进行配向的液晶分子。因此,所述液晶显示装置可以防止在屏面上出现余像和抖动现象。
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公开(公告)号:CN100487897C
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200510125827.6
申请日:2005-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133707 , G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/1393 , G02F2001/133357 , G02F2001/133742 , G02F2001/134345 , G02F2001/134354 , G02F2001/136218 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236 , G02F2201/40 , G02F2203/30
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板包括衬底、位于衬底上的栅极线、位于衬底上并与栅极线分开的电容性电极。该薄膜晶体管阵列面板包括:数据线,与栅极线相交;薄膜晶体管,与栅极线和数据线连接并包括漏电极;耦合电极,与漏电极连接、与电容性电极叠置并具有位于电容性电极上的通孔。该薄膜晶体管阵列面板包括:钝化层,位于栅极线、数据线和薄膜晶体管上,并具有穿透通孔并暴露电容性电极的接触孔;像素电极,包括通过接触孔与漏电极连接的第一子像素电极和与电容性电极连接的第二子像素电极。
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公开(公告)号:CN100470338C
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN02827016.9
申请日:2002-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F2201/52
Abstract: 红、蓝和绿色像素依次分布在行方向。红和绿色像素沿列方向交替分布,而蓝色像素分布在相邻红和绿像素之间,而各蓝像素被四个红和绿色像素围绕。栅极线布置在各个像素行。数据线以绝缘的方式与栅极线交叉并分布在各个像素列。像素电极和薄膜晶体管分布在各个像素处。在预定的像素单元处,两个蓝色像素处的数据线彼此连结。像素电极经由低介电有机材料或绝缘材料如SiOC、SiOF的钝化层与栅极线或数据线重叠。
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公开(公告)号:CN100444231C
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN03820453.3
申请日:2003-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3607 , G09G3/3648 , G09G2300/0452 , G09G2340/0457
Abstract: 提供了一种液晶显示器,包括:多个交替排列的第一和第二行像素的阵列,每个第一行包括依序排列的红色、蓝色和绿色像素或红色、绿色和蓝色像素,每个第二行包括依序排列的红色、蓝色和绿色像素或红色、绿色和蓝色像素,并且具有从第一行移位一个像素的排列,每个像素包括:一个像素电极和一个薄膜晶体管;多条栅极线,在行方向上延伸,用于向像素发送栅极信号;多条数据线,在列方向上扩展,用于向像素发送数据信号。
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公开(公告)号:CN100395622C
公开(公告)日:2008-06-18
申请号:CN200480022897.2
申请日:2004-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/134336 , G02F2001/134345 , G02F2201/52
Abstract: 提供了包括红、绿、蓝和白色子像素(RP、GP、BP和WP)的四色液晶显示器(LCD)。该LCD还包括用于向子像素传送栅信号的多条栅线(121)和用于向子像素传送数据信号的多条数据线(171)。白色子像素小于其他子像素,且每条数据线(171)在相邻两个子像素之间穿过,并至少包括一个弯曲部分。此外,数据线(171)的长度基本相同。
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公开(公告)号:CN101159274A
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN200710163017.9
申请日:2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/528 , H01L29/786 , H01L29/41
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/285 , H01L27/3262
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底,该薄膜晶体管基底被这样构造:即使在漏电极和对应的栅极线之间存在制造引起的未对准的情况下,也因每个TFT的漏极和栅极之间的密勒电容使得在基底的整个区域上反冲电压保持恒定。每个薄膜晶体管包括:栅电极;有源层,形成在栅电极上,以与栅电极叠置;第一源电极和第二源电极,分别连接到第一数据线和第二数据线,第一数据线和第二数据线中的每条与栅极线交叉,并与栅极线绝缘;延长的漏电极,位于第一源电极和第二源电极之间,并设置在栅电极上方,以使交叉的漏电极的长度大于下面的栅电极的宽度,从而未对准引起的栅电极的位置相对于漏电极的移动基本没有改变栅电极和漏电极之间的叠置面积。
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