公开(公告)号：CN108335970B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201710893281.1

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  裵鎭希 ,  徐珍雨 ,  卢健培 ,  张俊英

IPC: H01L21/033

Abstract: 一种形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置。形成图案的方法包括：在衬底上形成蚀刻对象层，在蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层，形成完全覆盖第一层的凸图案的第二层，部分地移除第二层以暴露出凸图案的顶部、同时留下设置于凸图案的侧处的第二层，移除第一层以暴露出蚀刻对象层的顶部，以及使用设置于被移除的第一层的凸部的侧面处的第二层作为蚀刻掩模对蚀刻对象层进行蚀刻，其中第一层及第二层中的一者为含碳的层且另一者为含硅的层，含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对硅的组合物进行热处理来形成。本发明可实现精细的图案并同时提高良率。

公开(公告)号：CN107129757B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610835603.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  卢健培 ,  徐珍雨 ,  沈秀姸 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  张俊英 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D7/20 ,  C09D1/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。

公开(公告)号：CN106409652B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN107129757A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201610835603.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  卢健培 ,  徐珍雨 ,  沈秀姸 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  张俊英 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D7/00 ,  C09D1/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。