公开(公告)号：CN1622716A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095822.9

申请日：2004-11-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金得钟 ,  黄义勋

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明公开一种平板显示器及其制造方法。所述平板显示器包括基底。信号线以阵列形式设置在所述基底上，由所述信号线的交叉设置所限定的单位像素区域具有像素驱动电路区域和发射区域。定位在所述像素驱动电路区域中的像素驱动TFT包括半导体层和对应于所述半导体层预定部分的栅极。所述栅极与所述信号线形成在相同的层中。电连接到所述像素驱动TFT的像素电极被定位在所述发射区域中。

公开(公告)号：CN101123223A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140306.7

申请日：2007-08-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄义勋

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了一种制造具有改进的可靠性的薄膜晶体管(TFT)阵列基底的方法。通过在形成TFT的栅电极之后执行用于离子注入的光刻工艺，根据本发明示例性实施例的制造TFT阵列基底的方法可通过TFT的栅电极来防止可移动离子从光致抗蚀剂移动到TFT的沟道，另外，通过由用于PMOS TFT的沟道掺杂工艺来形成存储电容器的下电极，根据本发明另一示例性实施例的制造TFT阵列基底的方法可以省略用于形成存储电容器的下电极的光刻工艺。

公开(公告)号：CN1841781A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610073815.8

申请日：2006-03-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄义勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的平板显示装置及其制备方法。非均匀结构形成在对应于沟道区域的多晶硅层图案的部分，使得沟道区域的边缘的沟道长度长于主沟道长度，从而沟道区域的边缘的电阻增加以导致流经沟道区域的边缘的电流减小，由此提高低压驱动时电路的可靠性。

公开(公告)号：CN1744772A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510074768.4

申请日：2005-06-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄义勋

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3276

Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件及其制造方法，其中单位像素区的数据线、电源线、或者数据线和电源线形成于在绝缘层中形成的沟槽中。第一像素电极重叠所述沟槽。