公开(公告)号：CN1292478C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN03148768.8

申请日：2003-06-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大川重明 ,  扇野广一郎

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0259

Abstract: 以往，在内置保护输出晶体管的火花抑制二极管的半导体集成电路中，因流向衬底的漏电电流大而不能获得所需的正向电流。本发明半导体集成电路装置的特征为，在第二外延层(23)表面重叠地形成了P+型第一及第二扩散区(34、32)。然后，在P+型第二扩散区(32)的正上方与正极电极(39)连接，使寄生电阻R1的阻值大于寄生电阻R1的阻值。这样，就可以抑制寄生PNP晶体管TR2的导通，抑制漏电电流流向衬底，进而大幅度地减小漏电电流。

公开(公告)号：CN1469476A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03148768.8

申请日：2003-06-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大川重明 ,  扇野广一郎

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0259

Abstract: 以往，在内置保护输出晶体管的火花抑制二极管的半导体集成电路中，因流向衬底的漏电电流大而不能获得所需的正向电流。本发明半导体集成电路装置的特征为，在第二外延层23表面重叠地形成了P+型第一及第二扩散区34、32。然后，在P+型第二扩散区32的正上方与正极电极39连接，使寄生电阻R1的阻值大于寄生电阻R1的阻值。这样，就可以抑制寄生PNP晶体管TR2的导通，抑制漏电电流流向衬底，进而大幅度地减小漏电电流。