公开(公告)号：CN1319136C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN00133113.2

申请日：2000-09-10

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 石黑英人 ,  松尾稔 ,  村井博之 ,  林正美

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，一种有源矩阵衬底的制造方法和一种电光器件，其中不同类型的TFT形成在同一衬底上，TFT的LDD长度或偏移长度的变化可通过较少的工艺得到抑制。在有源矩阵衬底的制造方法中，形成栅电极15和25的图案掩模被留下，在掺入中浓度的磷离子中使用以便与图案掩模554自对准地掺入杂质。然后，去除图案掩模，低浓度的磷离子利用栅电极作为掩模而掺入，以形成与栅电极自对准的低浓度源漏区111、121、211和221。每个区的LDD长度与栅电极的图案形成过程中产生的侧向蚀刻量相等。