公开(公告)号：CN114050157A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111151603.8

申请日：2021-09-29

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平 ,  郑书红 ,  尤鸿朴

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及OTP存储单元的制作方法及OTP存储单元结构。OTP存储单元的制作方法包括以下步骤：提供半导体基底，半导体基底上包括OTP区和其他区域，OTP区位置处的半导体基底上形成有选择栅和浮栅；制作金属硅化物阻挡层，通过光刻工艺使得金属硅化物阻挡层覆盖在其他区域上；沉积BPSG层，使得BPSG层覆盖OTP区的选择栅、浮栅和外露的半导体基底表面上，以及其他区域的金属硅化物阻挡层表面上；通过热回流工艺，使得BPSG层进行回流平坦化；对回流平坦化后的BPSG层进行湿法清洗；制作TEOS层，使得TEOS层覆盖再BPSG层上。本申请提供的一种OTP存储单元的制作方法，可以解决相关技术中对金属硅化物阻挡层的光刻工艺要求高，难度大的问题。

公开(公告)号：CN111146149A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911325809.0

申请日：2019-12-20

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种改善OTP性能的方法，在形成PMOS的P型轻掺杂漏区或者重掺杂P型区时，降低倾斜注入的注入能量及注入剂量。所述方法还包括，在形成PMOS的P型轻掺杂漏区之前做栅极侧墙时，降低栅极介质层的厚度，即降低栅极侧墙的厚度。本发明所述的改善OTP性能的方法，通过降低P型轻掺杂漏区的注入能量和注入剂量，能改善OTP性能失效；通过降低栅极侧墙的厚度，能改善弱编程性能。同时在CMOS中的NMOS管，其N型轻掺杂漏区的注入剂量降低，以调整NMOS管的饱和漏电流，减小热载流子效应。所述方法还包括通过阈值电压调节注入来将器件的阈值电压调节到目标值。

公开(公告)号：CN109887881A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910034194.X

申请日：2019-01-15

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明公开了一种金属保险丝顶部的钝化层窗口的形成方法，包括步骤：步骤一、在形成金属保险丝之后形成顶层层间膜；步骤二、形成顶层金属层并进行光刻刻蚀同时形成焊盘以及金属假块；金属假块在金属保险丝的正上方围成第一开口；步骤三、形成钝化层，金属假块会增加第一开口区域的钝化层的厚度；步骤四、进行光刻同时定义焊盘的打开区域以及金属保险丝顶部的钝化层窗口的区域；步骤五、进行刻蚀将焊盘的顶部打开以及同时将金属保险丝顶部的叠加介质层的部分厚度去除从而形成钝化层窗口。本发明能节省一次光刻层次，从而能降低工艺成本，同时还能对金属保险丝顶部的介质层的厚度进行很好的控制。

公开(公告)号：CN119947096A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510105522.6

申请日：2025-01-23

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 尤鸿朴 ,  王乐平 ,  隋建国 ,  牛文玉

IPC: H10B20/25 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明提供一种利用金属丝定义只读存储器编码模式的方法，提供衬底，在衬底上形成只读存储器的半导体器件，半导体器件顶端包括层间介质层，位于层间介质层中的多根间隔分布的金属丝和顶端金属层，金属丝的断开、连通情况用于决定只读存储器的编码模式；在层间介质层上形成光刻胶层，顶端金属层和金属丝靠近区域上方的光刻胶层厚度较厚；对于不同产品选择所需的编码模式和对应的光刻能量，利用相邻金属、顶端金属层上光刻胶层的负载效应，利用定义顶端金属层的光罩以及对应的光刻能量打开各产品上的光刻胶层；根据各产品的编码模式刻蚀相应的金属丝。本发明将露出的金属丝刻断来定义只读存储器的编码模式类型，此过程只需多加一步金属丝刻蚀。

公开(公告)号：CN119943748A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510032498.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 郑书红 ,  王乐平 ,  朱黎敏

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种调整深沟槽侧壁氧化物厚度的方法，包括提供衬底，衬底表面形成有外延层，外延层表面形成有叠层，叠层自下而上依次包括垫氧层、氮化物层、多晶硅层和硬掩膜层；利用光刻刻蚀工艺对叠层、外延层和衬底进行刻蚀，形成深沟槽；对硬掩膜层进行刻蚀，使得位于硬掩膜层位置的深沟槽开口变大，露出一定尺寸的多晶硅层；在深沟槽表面生长一层氧化层；刻蚀去除形成于深沟槽底部的氧化层，使深沟槽底部与衬底相通；在深沟槽中填充多晶硅。本发明通过增加刻蚀硬掩膜层以露出一定尺寸多晶硅层的步骤来实现保护深沟槽的顶部侧壁氧化层，使得深沟槽的顶部侧壁氧化层不被刻蚀太过，厚度加厚，实现了对深沟槽侧壁氧化物厚度的调整。

公开(公告)号：CN118248668A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410371266.0

申请日：2024-03-29

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 郑书红 ,  尤鸿朴 ,  王乐平

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/532

Abstract: 本申请提供一种改善金属熔丝表面氧化物膜厚均匀性的方法，包括：步骤一，提供一衬底，衬底上形成有顶层层间介质层，顶层层间介质层中形成有金属熔丝区，在顶层层间介质层上形成多个顶层金属层，其中一个顶层金属层完全覆盖金属熔丝区，而后形成钝化层，完全覆盖全部顶层金属层；步骤二，在衬底上形成具有金属熔丝区图案的光刻胶层；步骤三，刻蚀钝化层露出完全覆盖金属熔丝区的顶层金属层后，去除光刻胶层；步骤四，去除完全覆盖金属熔丝区的顶层金属层；步骤五，刻蚀露出的顶层层间介质层，形成金属熔丝的表面氧化物膜。在金属熔丝区上方构建一层遮挡金属，后续刻蚀熔丝区域时分步刻蚀，避免因芯片表面负载效应导致熔丝上残膜不均匀。

公开(公告)号：CN118016643A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410078852.6

申请日：2024-01-19

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 郑书红 ,  王乐平 ,  隋建国

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种监测通孔偏移的WAT测试结构，有源区；形成于所述有源区上的多晶硅结构；多晶硅结构为中空结构，其中空部分将所述有源区的上表面中心区域暴露；有源区的所述中心区域的中心位置设有第一接触孔，该第一接触孔与多晶硅结构的横向距离和纵向距离分别等于最小设计规则。本发明通过在有源区上设计一圈多晶硅来包围接触孔，通过测试该接触孔与多晶硅的漏电流和击穿电压，以此判断该接触孔与多晶硅结构在横向和纵向的距离的套刻偏移是否在允许范围。

公开(公告)号：CN118016548A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410078731.1

申请日：2024-01-19

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 郑书红 ,  王乐平

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供一种监测湿法药液是否正常的方法，提供晶圆，所述晶圆背面为裸Si；将所述晶圆的背面进行处理，制备为点检晶圆；利用所述点检晶圆检测湿法刻蚀药液是否合规。本发明通过制备点检晶圆，定期检测湿法刻蚀药液是否出现异常，可以避免由于湿法刻蚀药液异常在后续工艺中导致产品异常，从而可以提高产品电性能和良率。

公开(公告)号：CN117199049A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311269023.8

申请日：2023-09-27

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 康轶瑶 ,  王乐平 ,  陈立鸣

IPC: H01L23/525 ,  H10B20/25

Abstract: 本发明提供OTP器件及其形成方法、半导体器件及其形成方法中，通过形成第一源漏区后采用减压模式且加氧气的第一退火工艺在所述第一源漏区和第一栅极的顶部形成第一离子阻挡层，第一离子阻挡层能够有效阻止游离的正离子析出，避免游离的正离子在第一栅极表面提供一个比较低的势垒陷阱，进而致使第一栅极中的电子逃逸，提高OTP数据保持能力。且在第一退火工艺中采用减压模式加氧气，可以使第一源漏区表面的第一离子阻挡层更快速且更均匀地形成。

公开(公告)号：CN107492484A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710695103.8

申请日：2017-08-15

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 沈冬冬 ,  王乐平 ,  隋建国

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 本发明公开了一种SAB层图形结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在硅衬底表面形成SAB层。步骤二、在SAB层表面涂布光刻胶。步骤三、光刻形成光刻胶图形定义出金属硅化物形成区域。步骤四、以光刻胶图形为掩模对SAB层进行干法刻蚀，干法刻蚀不将金属硅化物形成区域的SAB层完全去除而保留部分厚度。步骤五、在金属硅化物形成区域保留有部分厚度的SAB层的条件下去除光刻胶图形。步骤六、采用湿法刻蚀工艺将金属硅化物形成区域保留的SAB层完全去除并形成SAB层图形结构。本发明能降低工艺成本，防止光刻胶剥离以及能满足应用需求。