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公开(公告)号：CN112909126A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110140994.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L51/48 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明提供了PVK‑TMDCs范德华异质结及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜；采用物理气相沉积法在所述过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，得到PVK‑TMDCs范德华异质结。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜，得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜，然后采用物理气相沉积法在过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，过渡金属硫族化合物薄膜可以对钙钛矿薄膜生长的结构和能级起到调控作用，防止异质结界面中出现杂质，提高光电材料的光电探测性能。
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公开(公告)号：CN109721103B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910206530.4
申请日：2019-03-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种沿 晶向生长的二氧化钼纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以m面蓝宝石为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿 晶向生长的二氧化钼纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉的质量比为10～20：1。本发明以m面蓝宝石为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了 晶向生长的二氧化钼纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。
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公开(公告)号：CN106830081B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201710078232.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 中南大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明提供了一种MoO2纳米棒的制备方法，包含以下步骤：(1)对蓝宝石单晶基底进行超声清洗；(2)将S粉与MoO3粉末置于石英舟中，间隔18‑22cm，并将步骤(1)处理的蓝宝石置于MoO3粉末上；(3)将步骤(2)准备好的石英舟置于CVD加热炉中进行加热，冷却至室温后，即得到MoO2纳米棒。通过本发明的制备方法可以制备得到形貌均匀、纯度高、沿晶向生长的高定向的MoO2纳米棒产品，其在蓝宝石基底上能够实现很好的外延生长，重复性好。
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公开(公告)号：CN106830081A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710078232.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 中南大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明提供了一种MoO2纳米棒的制备方法，包含以下步骤：(1)对蓝宝石单晶基底进行超声清洗；(2)将S粉与MoO3粉末置于石英舟中，间隔18‑22cm，并将步骤(1)处理的蓝宝石置于MoO3粉末上；(3)将步骤(2)准备好的石英舟置于CVD加热炉中进行加热，冷却至室温后，即得到MoO2纳米棒。通过本发明的制备方法可以制备得到形貌均匀、纯度高、沿晶向生长的高定向的MoO2纳米棒产品，其在蓝宝石基底上能够实现很好的外延生长，重复性好。
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公开(公告)号：CN112909126B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110140994.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L51/48 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明提供了PVK‑TMDCs范德华异质结及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜；采用物理气相沉积法在所述过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，得到PVK‑TMDCs范德华异质结。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜，得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜，然后采用物理气相沉积法在过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，过渡金属硫族化合物薄膜可以对钙钛矿薄膜生长的结构和能级起到调控作用，防止异质结界面中出现杂质，提高光电材料的光电探测性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109868505B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910206529.1
申请日：2019-03-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以蓝宝石的m面为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉末的质量比为25～35：1。本发明以蓝宝石的m面为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。
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公开(公告)号：CN107963667A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711191657.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种无支撑MoS2纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO2为核、MoS2为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO2@MoS2纳米棒/SiO2/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS2。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS2晶体结构，直接获取无支撑的MoS2纳米带。
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公开(公告)号：CN106370891A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610937534.6
申请日：2016-10-24
Applicant: 中南大学
IPC: G01Q60/16
CPC classification number: G01Q60/16
Abstract: 本发明提供了扫描隧道显微镜扫描探针的制备方法及控制电路，方法包括步骤：对探针进行去氧化膜的处理：在直径为0.5mm的探针底部套上胶圈，胶圈底部距离探针底部2mm；将金属丝圈放入2～3mol/L的KOH溶液中，探针底部插入液面的深度1mm；探针为阳极，金属丝圈为阴极，两端加5～12V的电压；当阳极上的第一电压与控制电路的固定电阻上的第二电压相等时，控制电路切断电路，使得探针底部形成针尖；控制电路包括与单片机串联的继电器、固定电阻和使用电解液连接的阴阳极。本申请利用橡皮圈控制纵横比和加大重力，用控制电路自动切断电源并实时检测电压，使得一步腐蚀法可制得纵横比合适、扫描图样清晰的理想探针针尖。
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公开(公告)号：CN208572926U
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201821124110.9
申请日：2018-07-16
Applicant: 中南大学
IPC: A01K69/08
Abstract: 本实用新型提供了一种新型自动捕鱼装置，包括固定器和捕鱼器，所述固定器与捕鱼器相连，所述捕鱼器包括控制盒、推杆和捕鱼笼，所述控制盒与推杆一端相连，所述推杆另一端和捕鱼笼相连，所述控制盒包括太阳能电池、电机和控制模块；所述捕鱼笼包括自动开关门和超声波测距模块，所述超声波测距模块安装在捕鱼笼内部的中央，所述超声波测距模块包括超声波控制模块和超声波传感器；所述超声波传感器的探头位于超声波测距模块外部，所述控制模块与超声波控制模块和蓝牙通信系统相连，所述蓝牙通信系统与智能终端相连。本实用新型提供的一种新型自动捕鱼装置，结构简单、操作方便、捕鱼效率高，捕鱼过程无须看管，具有市场推广价值。
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公开(公告)号：CN206177991U
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201621161762.0
申请日：2016-10-24
Applicant: 中南大学
IPC: G01Q60/16
Abstract: 本实用新型提供了扫描隧道显微镜扫描探针的控制电路，控制电路包括与单片机串联的继电器、固定电阻和使用电解液连接的阴极、阳极；其中，以探针作为阳极，金属丝圈作为阴极；电解液为浓度为2～3mol/L的KOH溶液，固定电阻为100‑1500Ω。本申请利用橡皮圈控制纵横比和加大重力，用控制电路自动切断电源并实时检测电压，使得一步腐蚀法可制得纵横比合适、扫描图样清晰的理想探针针尖。
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