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公开(公告)号：CN119208498A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411127485.0
申请日：2024-08-16
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了发光二极管及其制备方法，发光二极管包括底板、侧板、反射件、透光件和紧固件，其中反射件内置于LED封装体中，取代传统的反射杯，可以低成本地形成高紫外反射侧壁，提高倒装芯片封装的光取出效率。并且，可以通过调整反射件的反射部的角度，配合透光件的结构，形成不同的发光角度，适应不同的应用场景。再者，采用热铆接技术固定所述透光件、反射件、侧板与底板，一方面增加结构强度，另一方面，避免发光装置发射的光高强度、长期照射的光劣化。
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公开(公告)号：CN118472016A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410544127.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/78 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种提高功率电子器件关态电学特性的终端结构及其制备方法。该终端结构包括：半导体结构以及介质层、金属电极，所述介质层层叠设置在所述半导体结构上，所述介质层的边缘具有侧壁面，所述金属电极的第一部分覆设在所述介质层的侧壁面上，所述金属电极的第二部分覆设在所述半导体结构上，所述金属电极与所述介质层、所述半导体结构形成金属‑介质‑半导体的场板结构。本发明通过分离边缘尖峰电场与漏电通道的空间位置，同时提出“自对准”工艺来制备该终端结构，可简化工艺步骤，降低生产成本，以达到击穿电压与关态漏电的同步优化的效果。
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公开(公告)号：CN118263309A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410544762.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管及其制备方法。具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS栅极结构以及源极、漏极，外延结构包括至少一异质结，异质结内具有载流子沟道，外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，载流子沟道被栅极凹槽隔断；MIS栅极结构包括p型半导体结构层、栅介质层、栅极和p型半导体场板，当向栅极施加正向电压时，p型半导体结构层内反型产生电子，位于栅极凹槽两侧的载流子沟道经电子电连接；p型半导体场栅极与漏极之间，在关态下，增强型场效应晶体管内部的电场被p型半导体场板束缚在p型半导体场板与漏极之间的区域。该具有p型半导体场板的增强型FET具有更高的可调节阈值电压。
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公开(公告)号：CN118073963A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211469752.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法。该激光器包括第一光学限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二光学限制层、接触层、绝缘介质层，该接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成脊型结构；该绝缘介质层至少覆设在脊型结构的顶端面上，并具有图形化结构，图形化结构包括间隔分布的多个周期性图案，并且接触层从脊型结构顶端面上未被周期性图案覆盖的区域暴露出；脊型结构的顶端面上还覆设有第一电极，其与接触层形成欧姆接触。本申请通过采用以上设计，能在激光器中形成侧向非均匀性波导结构，并能吸收高阶模，从而能抑制侧向高阶模式的产生，进而有效改善激光器的光束质量。
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公开(公告)号：CN117219490A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210628253.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种准分子灯及其制备方法。所述准分子灯包括：两个放电单元，每一放电单元包括一灯壳，每一灯壳内部均具有放电空间，所述放电空间内封入有能够产生准分子放电的气体，且每一灯壳的至少局部区域可透射准分子发射的紫外光；第一电极和第二电极，均位于所述放电单元外部，其中第一电极设置于两个放电单元之间，且第一电极在厚度方向上的两侧表面分别与一灯壳的第一外表面无缝接触，每一灯壳的第二外表面上设有一第二电极，每一第二电极隔着一放电空间与第一电极相对设置；所述第一电极用于与高频高压电源电连接。本发明的准分子灯具有电极寿命更长、产生臭氧更少、空间更紧凑等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116960182A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310912208.X
申请日：2023-07-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种增强型场效应晶体管及其制备方法。增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS/MOS栅极结构以及源极、漏极，所述外延结构包括至少一异质结，所述异质结内形成有载流子沟道，所述外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，所述栅极凹槽的槽底位于所述第一半导体层内，槽口位于所述第二半导体层，所述载流子沟道被所述栅极凹槽隔断；所述MIS/MOS栅极结构包括沿所述选定方向依次层叠设置的第三半导体层、栅介质层和栅极，当向所述栅极施加正向电压时，所述第三半导体层内反型产生电子，位于所述栅极凹槽两侧的所述载流子沟道经所述电子电连接。本发明具有更高的栅极正向击穿电压和阈值电压。
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公开(公告)号：CN116479400A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210050516.1
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提升含Al氮化物半导体材料的晶体质量的方法。所述方法包括：在衬底上沉积形成作为成核层的含Al氮化物半导体材料底层；在所述含Al氮化物半导体材料底层上生成形成AlON层，之后继续生长含Al氮化物半导体材料层，制得高质量含Al氮化物半导体材料外延薄膜。本发明通过在含Al氮化物半导体材料薄膜上生长AlON，进而在下一步的外延生长时利用形成的AlON来进一步阻挡和湮灭穿透位错，从而改善晶体质量，同时并不存在AlN侧向外延的难合并等问题。同时，本发明的方法工艺简单，可以适应于各类外延生长，同时也完全适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN116264248A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111528051.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种GaN电子器件结构及其制备方法与应用。所述GaN电子器件结构包括外延结构和源、漏、栅电极，所述外延结构包括沟道层和势垒层，所述沟道层与势垒层之间形成有二维电子气，所述源电极与漏电极经所述二维电子气电连接；所述栅电极的栅足在沟道层上的正投影与所述势垒层在沟道层上的正投影的重合率在80％以上。本发明的GaN电子器件结构不存在栅‑源、栅‑漏之间的接入区域，且整个二维电子气沟道均被栅电极有效调控，可以在实现速度饱和、降低器件膝点电压的基础上消除因RGS电阻退化而诱导的非线性效应。同时，本发明的GaN电子器件结构的可靠性、稳定性及跨导高，有助于大幅提高射频功率放大器的功率增益。
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公开(公告)号：CN115172367A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210808044.1
申请日：2022-07-07
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/085 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本申请公开了一种具有多阈值电压的GaN基HEMT、其制备方法及应用。所述HEMT结构包括沟道层和势垒层，沟道层与势垒层之间形成有二维电子气；势垒层至少具有第一、第二源极区，第一、第二栅极区，以及第一、第二漏极区；第一源极区、第一栅极区及第一漏极区相互配合，用于形成第一HEMT单元；第二源极区、第二栅极区及第二漏极区相互配合，用于形成第二HEMT单元；势垒层在第一栅极区的厚度小于在第二栅极区的厚度，使第一HEMT单元的阈值电压高于第二HEMT单元的阈值电压。本申请可以实现高、低阈值电压HEMT器件的晶圆级制备，制得的多阈值电压HEMT高度集成，且载流子迁移率高、阈值电压均匀性好，可以很好地满足高低阈值型逻辑电路的应用需求。
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公开(公告)号：CN114566574A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210184601.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法。所述AlGaN基紫外LED外延结构包括沿一指定方向依次设置的N型AlbGa1‑bN层、多量子阱有源区、P型AlcGa1‑cN电子阻挡层和P型GaN接触层；所述多量子阱有源区包括交替生长的多个AlxGa1‑xN量子阱层和多个AlyGa1‑yN量子垒层，其中在所述指定方向上的最后一个AlxGa1‑xN量子阱层掺杂有Si，其中0＜(x、y)≤1。较之现有技术，本申请AlGaN基紫外LED外延结构的光输出功率有显著提升。
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