具有ITO透明导电膜的基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1800439A

    公开(公告)日:2006-07-12

    申请号:CN200510048899.5

    申请日:2005-11-25

    Abstract: 一种通过离子电镀装置在基板上形成ITO透明导电膜的方法,包括步骤:(a)从压力梯度型等离子体枪在真空室中产生等离子束;(b)用该等离子束照射ITO源,以加热和蒸发该ITO源;(c)通过等离子体气氛将该蒸发的ITO源离子化;和(d)在该基板上沉积该离子化的ITO源,以在该基板上形成该ITO透明导电膜。该方法特征在于,至少在步骤(d)期间,将该基板的温度调整到80-145℃,以及至少在步骤(d)期间,将每单位时间和每单位面积从该ITO源入射到该基板上的辐射热调整到1.5-10.0J/cm2□min的范围。所得到的ITO透明导电膜具有从1.2×10-4到3.0×10-4Ω□cm的电阻率。

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