表面被覆切削工具及其制造方法

    公开(公告)号:CN107530785B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201680002026.7

    申请日:2016-06-22

    Abstract: 本发明涉及一种表面被覆切削工具,其包括基材以及形成在基材上的覆膜。该覆膜包括硬质层。该硬质层包含多个具有氯化钠型晶体结构的晶粒。当使用EBSD系统在平行于基材的表面的法线方向的硬质层的横截面中分析多个晶体各自的晶体取向,从而测量作为晶粒的晶面的(111)面的法线方向与基材的表面的法线方向之间的夹角时,夹角为0度以上且小于20度的晶粒的比例A为50%以上。关于晶粒的粒界,Σ3晶界的长度小于Σ3‑29晶界的长度的50%。晶粒具有这样的层叠结构,其中由AlxTi1‑x的氮化物或碳氮化物构成的第一层和由AlyTi1‑y的氮化物或碳氮化物构成的第二层交替层叠。彼此相邻的第一层和第二层的总厚度为3nm以上40nm以下。

    表面被覆切削工具
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106660136B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201580003733.3

    申请日:2015-07-13

    Abstract: 根据本发明的表面被覆切削工具设置有基材、以及形成于所述基材上的覆膜,所述覆膜包括α‑Al2O3层,所述α‑Al2O3层包含多个α‑Al2O3的晶粒并且示出(001)取向,所述晶粒的粒界包括CSL粒界和一般粒界,并且CSL粒界中的Σ3晶界的长度超过Σ3‑29晶界长度的80%,并且为全部粒界的总长的10%以上50%以下,其中所述全部粒界的总长为所述Σ3‑29晶界的长度和所述一般粒界的长度的总和。

    表面被覆切削工具
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106536101B

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201580003730.X

    申请日:2015-07-13

    Abstract: 根据本发明的表面被覆切削工具(10)包括基材(11)和形成在基材上的覆膜(12)。该覆膜包括α‑Al2O3层,所述α‑Al2O3层包含多个α‑Al2O3的晶粒,所述晶粒的粒界包括CSL粒界和一般粒界。位于前刀面(1)侧和后刀面(2)侧的α‑Al2O3层均示出(001)取向。在位于前刀面侧的所述α‑Al2O3层内,Σ3晶界的长度LR3超过Σ3‑29晶界的长度LR3‑29的80%,并且为全部粒界的总长LR的10%以上50%以下。在位于后刀面侧的所述α‑Al2O3层内,Σ3晶界的长度LF3超过Σ3‑29晶界的长度LF3‑29的80%,并且为全部粒界的总长LF的10%以上50%以下。所述长度LR3与所述长度LR3‑29之比LR3/LR3‑29大于所述长度LF3与所述长度LF3‑29之比LF3/LF3‑29。

    表面被覆切削工具
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106856658B

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201580004925.6

    申请日:2015-10-09

    Abstract: 一种表面被覆切削工具,包括基材和形成在所述基材上的覆膜。所述覆膜包括含有多个α‑Al2O3晶粒的α‑Al2O3层。所述α‑Al2O3层包括设置在基材侧的下层部、设置在下层部上的中间部以及设置在中间部上的上层部。在利用电子背散射衍射分析装置对α‑Al2O3层的截面抛光面进行的晶体取向成像中,所述下层部中具有(001)取向的α‑Al2O3晶粒的面积比小于35%,所述中间部中具有(001)取向的α‑Al2O3晶粒的面积比为35%以上,并且所述上层部中具有(001)取向的α‑Al2O3晶粒的面积比小于35%。所述α‑Al2O3层的厚度为4μm至18μm,并且所述中间部的厚度占α‑Al2O3层厚度的50%以上,所述下层部和所述上层部各自的厚度为1μm以上。

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