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公开(公告)号：CN101582356A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910140870.8
申请日：2009-05-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2329/0486
Abstract: 本发明提供不需要另外添加的新电极、具有优异的会聚性、并且显示出短时期和长时期的小的放出电流变化的电子发射器件，以及使用该器件的图像显示装置。所述电子发射器件至少包含在绝缘基板上形成的一对器件电极、和形成为使器件电极相互连接并在其中具有间隙的多个导电膜，其中，至少与导电膜之间的间隙相邻并且不覆盖有导电膜的区域的表面比导电膜的表面高。
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公开(公告)号：CN100356496C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN03106605.4
申请日：2003-02-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序，而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法，电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法，在把高分子膜碳化，使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中，在上述高分子膜上，在把每单位面积，每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m2]时，满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2(T：把高分子膜在1×10-4Pa以上的真空中加热保持1小时，使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃]，Csub：上述基体的比热[J/kg·K]，ρsub：上述基体的比重[kg/m3]，λsub：上述基体的热传导率[W/m·K]，1×10-9sec≤τ≤10sec)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101582356B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910140870.8
申请日：2009-05-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2329/0486
Abstract: 本发明提供不需要另外添加的新电极、具有优异的会聚性、并且显示出短时期和长时期的小的放出电流变化的电子发射器件，以及使用该器件的图像显示装置。所述电子发射器件至少包含在绝缘基板上形成的一对器件电极、和形成为使器件电极相互连接并在其中具有间隙的多个导电膜，其中，至少与导电膜之间的间隙相邻并且不覆盖有导电膜的区域的表面比导电膜的表面高。
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公开(公告)号：CN1913076B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200610107472.2
申请日：2006-07-25
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子发射特性的离差很小并且抑制了其电子发射量的“波动”的电子发射器件。该电子发射器件包括衬底和其中包括间隙的导电膜，该衬底配备有包含硅氧化物的第一部分和与第一部分并列设置并具有更高的导热性的第二部分，该导电膜设置在衬底上，其中第一和第二部分具有比导电膜的电阻更高的电阻，该间隙设置在第一部分上。
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公开(公告)号：CN101583245A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910140871.2
申请日：2009-05-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H05K3/387 , H05K3/182 , H05K3/185 , H05K2203/0113 , H05K2203/121
Abstract: 公开了能容易且简单地制造导电性部件图案例如纳米尺寸精细配线或电极的方法。具体地说，该公开的导电性部件图案的制造方法包括以下步骤：通过使用光敏树脂从而在基板上形成离子交换性树脂图案；使该树脂图案吸收含有金属组分的溶液；和烘烤已经吸收了该含有金属组分的溶液的该树脂图案，其中烘烤步骤之前该树脂图案的宽度和“宽度/高度”比分别是小于或等于1μm和小于或等于5。
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公开(公告)号：CN1913076A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610107472.2
申请日：2006-07-25
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子发射特性的离差很小并且抑制了其电子发射量的“波动”的电子发射器件。该电子发射器件包括衬底和其中包括间隙的导电膜，该衬底配备有包含硅氧化物的第一部分和与第一部分并列设置并具有更高的导热性的第二部分，该导电膜设置在衬底上，其中第一和第二部分具有比导电膜的电阻更高的电阻，该间隙设置在第一部分上。
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公开(公告)号：CN1448977A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03106605.4
申请日：2003-02-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序，而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法，电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法，在把高分子膜碳化，使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中，在上述高分子膜上，在把每单位面积，每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m2]时，满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2(T：把高分子膜在1×10－4Pa以上的真空中加热保持1小时，使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃]，Csub：上述基体的比热[J/kg·K]，ρsub：上述基体的比重[kg/m3]，λsub：上述基体的热传导率[W/m·K]，1×10－9sec≤τ≤10sec)。
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