用于制造SiOx(X<1)的方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101173346A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710167618.7

    申请日:2007-04-26

    CPC classification number: C23C14/10 C01B33/113 H01M4/131 H01M4/485 H01M10/052

    Abstract: 提供一种用于制造SiOx的方法。制造的SiOx(x<1)在锂离子二次电池的制造中适合于用作阳极材料,该二次电池具有随着重复使用循环不会衰减的大容量,并在初始充放电中具有低的不可逆容量。用于制造SiOx(x<1)的方法,包括步骤:在惰性气体存在下或降低的压力下将产生氧化硅气体的起始原料加热到1,100至1,600℃范围内的温度以产生氧化硅气体,同时在惰性气体存在下或降低的压力下将金属硅加热到1,800至2,400℃范围内的温度以产生硅气体,并在基体表面上沉淀氧化硅气体和金属硅气体的气体混合物。

    有机卤代硅烷的制备
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100467475C

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200410064158.1

    申请日:2004-08-20

    CPC classification number: C07F7/16 B01J23/14

    Abstract: 有机卤代硅烷通过向反应器中装入金属硅和催化剂的接触物质并将含有机卤化物的气体加料到反应器而制成。锡-或锡化合物用作催化剂。因此有机卤代硅烷可十分有效地在高反应速率下制成,同时保持低T/D比率和尽量减少副产物和碳的沉积。

Patent Agency Ranking