公开(公告)号：CN101616889B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200880005632.X

申请日：2008-01-30

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 白木安司 ,  松尾茂 ,  藤冈东洋藏

IPC: C07C231/02 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C231/02 ,  C07C235/06

Abstract: 用下式(I)表示的β-烷氧基丙酰胺类的制备方法，其包括在碱性催化剂的存在下、或者碱性催化剂和多醇的存在下，使胺类与β-烷氧基丙酸酯类反应的工序，(式中，R1是碳原子数为1～8的烷基，R2和R3分别为氢、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、甲氧基甲基或者缩水甘油基)。

公开(公告)号：CN101473420B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200780023390.2

申请日：2007-06-07

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  松原雅人 ,  白木安司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F7/425 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能提高品质及生产率、并能改善作业环境的脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法。TFT基板的制造方法具有下述工序：在玻璃基板(1010)上形成薄膜晶体管(1050)、保护用绝缘膜(1054)、抗蚀剂(1055)，形成咬边部(1554)的工序；形成被彼此分离的导电体膜(1611)及像素电极(1612)的工序；供给脱模组合物，溶解再形成抗蚀剂(1553)使导电体膜(1611)剥离的脱模工序；使抗蚀剂上的导电体膜(1611)溶解在含有导电体膜(1611)的使用过的脱模组合物中，再利用该使用过的脱模组合物的循环工序。

公开(公告)号：CN101473272A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780023158.9

申请日：2007-06-13

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 白木安司 ,  藤冈东洋臧 ,  松尾茂

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的目的在于提供剥离性优异、且没有可燃性、安全，而且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异的抗蚀剂剥离剂。抗蚀剂剥离剂为含有式(1)所示的化合物的构成，这里，式(1)中，R3为碳原子数1～18的烷基；R1和R2各自独立地为氢原子或可具有碳原子数1～6的醚键的烃基。