公开(公告)号：CN119584550A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202510130707.2

申请日：2025-02-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  冀映彤 ,  蔡一茂 ,  张海粟 ,  杨高琦 ,  鲍霖 ,  黄如

IPC: H10B63/00

Abstract: 本公开涉及一种存储器件及其制作方法、电子设备，存储器件包括：存储单元，设于衬底上，存储单元沿垂直于衬底的方向间隔排列，存储单元包括选通晶体管和阻变器件；选通晶体管包括沿平行于衬底的第一方向延伸的水平半导体层，阻变器件包括水平半导体层以及沿第一方向远离水平半导体层依次设置的阻变层和电极层；源线，沿平行于衬底的第二方向延伸，沿垂直于衬底的第三方向间隔排列，沿第一方向，源线设于水平半导体层远离阻变层一侧；字线，沿第三方向设置与沿第三方向排列的选通晶体管的水平半导体层相交；位线，沿第三方向设置与沿第三方向排列的阻变器件的电极层连接。利用垂直于衬底的第三方向集成存储单元，提高了存储器件的集成密度。

公开(公告)号：CN118654767A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410911960.7

申请日：2024-07-09

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  王宗巍 ,  鲍霖 ,  翟正浩 ,  张海粟 ,  王翠梅 ,  黄善国

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用感光晶体管和读晶体管，感光晶体管的源端与读取晶体管的栅端相连形成存储节点，用于暂存信号电荷，待检测光脉冲信号到来后，感光晶体管接收光子能量后激发产生电子‑空穴对，导致感光晶体管的阈值电压降低，使得感光晶体管迅速进入导通状态，允许写位线的电荷通过感光晶体管向存储节点充电，实现对光脉冲信号的“写入”。本发明利用双晶体管结构的弛豫特性，即使信号输入时间短暂，也能在较长的时间窗口内从读取电路中检测到可靠的电流变化，大大降低了检测任务对外围电路的精度要求，有效降低了硬件开销。

公开(公告)号：CN118609622A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410798460.7

申请日：2024-06-20

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  蔡一茂 ,  鲍霖 ,  张豪 ,  张海粟 ,  王翠梅 ,  黄善国

IPC: G11C7/24 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C11/40

Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管存储单元提取模拟信号最大值的方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个场效应晶体管构成双晶体管存储单元，系统上电后，先对存储节点放电至0电位，然后在写位线与读位线分别施加高电平，写字线施加待检测信号，利用双晶体管存储单元得到一段时间内待测信号的电压最大值，通过读取读字线的电流读出存储在节点上的信号最大值，实现模拟信号最大值的提取。本发明可在模拟域实现信号关键特征的提取，有效提升了系统的能效，同时大幅降低硬件开销。

公开(公告)号：CN117672307A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311660386.4

申请日：2023-12-06

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  张海粟 ,  蔡一茂 ,  鲍霖 ,  王翠梅 ,  黄如

IPC: G11C13/04 ,  H04N25/78 ,  H04N25/767 ,  H01L27/146 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明公开了一种光感存算一体单元的控制方法及应用，属于微纳电子学技术领域，本发明感存算一体单元包括一个感光晶体管和一个读取晶体管，外界光强可照射至所述感光晶体管的沟道，并激发出电子空穴对，光激发产生的空穴在负栅压的作用下向栅介质漂移，并被界面陷阱捕获，可使感光晶体管的阈值电压负漂，将光学信息转变为电学信息，通过在栅电极施加正电压可擦除被陷阱捕获的空穴，在正栅压的驱动下，沟道中的电子将向栅介质漂移并与界面陷阱中的空穴复合，使感光晶体管的阈值电压恢复初值。采用本发明可以实现传感、存储以及计算功能，有效降低数据反复搬运造成的功耗，有望进一步提升边缘智能图像处理设备的能效。