公开(公告)号：CN117295341B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202311274402.6

申请日：2023-09-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  王浩然 ,  蔡一茂 ,  王翠梅 ,  黄如

IPC: H10B51/30 ,  H10D30/60

Abstract: 本发明提供一种铁电非易失存储器及制备方法，其中的存储器包括衬底、依次设置在衬底上方的源侧控制栅、存储栅和漏侧控制栅；其中，在衬底上设置源极和漏极，位于源极和漏极之间的衬底区域形成隔离源极和漏极的沟道；在沟道和存储栅之间设置有铁电层，存储栅用于向铁电层的上表面施加电压，以改变铁电层的极化状态；源侧控制栅和漏侧控制栅用于控制沟道导通或关闭；通过控制存储栅、源极、源侧控制栅、漏侧控制栅以及漏极的电压，实现数据的写入、读取以及擦除。利用上述发明能够提高存储密度，降低功耗，增强可靠性。

公开(公告)号：CN118654767A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410911960.7

申请日：2024-07-09

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  王宗巍 ,  鲍霖 ,  翟正浩 ,  张海粟 ,  王翠梅 ,  黄善国

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用感光晶体管和读晶体管，感光晶体管的源端与读取晶体管的栅端相连形成存储节点，用于暂存信号电荷，待检测光脉冲信号到来后，感光晶体管接收光子能量后激发产生电子‑空穴对，导致感光晶体管的阈值电压降低，使得感光晶体管迅速进入导通状态，允许写位线的电荷通过感光晶体管向存储节点充电，实现对光脉冲信号的“写入”。本发明利用双晶体管结构的弛豫特性，即使信号输入时间短暂，也能在较长的时间窗口内从读取电路中检测到可靠的电流变化，大大降低了检测任务对外围电路的精度要求，有效降低了硬件开销。

公开(公告)号：CN118609622A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410798460.7

申请日：2024-06-20

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  蔡一茂 ,  鲍霖 ,  张豪 ,  张海粟 ,  王翠梅 ,  黄善国

IPC: G11C7/24 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C11/40

Abstract: 本发明公开一种基于双晶体管存储单元提取模拟信号最大值的方法，属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个场效应晶体管构成双晶体管存储单元，系统上电后，先对存储节点放电至0电位，然后在写位线与读位线分别施加高电平，写字线施加待检测信号，利用双晶体管存储单元得到一段时间内待测信号的电压最大值，通过读取读字线的电流读出存储在节点上的信号最大值，实现模拟信号最大值的提取。本发明可在模拟域实现信号关键特征的提取，有效提升了系统的能效，同时大幅降低硬件开销。

公开(公告)号：CN118335150A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410291761.0

申请日：2024-03-14

Applicant: 北京大学 ,  北京邮电大学

Inventor： 王宗巍 ,  鲍霖 ,  蔡一茂 ,  计和晨 ,  王翠梅 ,  黄善国

IPC: G11C13/00

Abstract: 本申请提供一种基于阻变存储器的高阶矩阵向量运算方法及相关设备。基于阻变存储器的高阶矩阵向量运算单元；所述基于阻变存储器的高阶矩阵向量运算单元，包括：晶体管以及阻变存储器；其中，所述晶体管包括漏极、栅极和源极；所述阻变存储器与所述漏极串联；所述方法包括：响应于所述栅极接收到第一输入信号，根据所述第一输入信号确定第一操作数；其中，所述第一输入信号表征所述晶体管的开启或者关闭；响应于所述漏极接收到第二输入信号，根据所述第二输入信号确定第二操作数；根据所述第一操作数、第二操作数以及所述阻变存储器的预存电导值确定所述源极的输出信号。

公开(公告)号：CN117672307A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311660386.4

申请日：2023-12-06

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  张海粟 ,  蔡一茂 ,  鲍霖 ,  王翠梅 ,  黄如

IPC: G11C13/04 ,  H04N25/78 ,  H04N25/767 ,  H01L27/146 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明公开了一种光感存算一体单元的控制方法及应用，属于微纳电子学技术领域，本发明感存算一体单元包括一个感光晶体管和一个读取晶体管，外界光强可照射至所述感光晶体管的沟道，并激发出电子空穴对，光激发产生的空穴在负栅压的作用下向栅介质漂移，并被界面陷阱捕获，可使感光晶体管的阈值电压负漂，将光学信息转变为电学信息，通过在栅电极施加正电压可擦除被陷阱捕获的空穴，在正栅压的驱动下，沟道中的电子将向栅介质漂移并与界面陷阱中的空穴复合，使感光晶体管的阈值电压恢复初值。采用本发明可以实现传感、存储以及计算功能，有效降低数据反复搬运造成的功耗，有望进一步提升边缘智能图像处理设备的能效。

公开(公告)号：CN117042468A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310810715.2

申请日：2023-07-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  王錡深 ,  蔡一茂 ,  王翠梅 ,  黄如

IPC: H10B63/00

Abstract: 本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，包括底电极、阻变部和顶电极，在光刻图形化后通过退火和气体进行处理，阻变部的被刻蚀的侧壁通过钝化性气体进行钝化限域，形成绝缘钝化层。本发明在阻变存储器的主要结构刻蚀完成后，增加气体钝化步骤，使刻蚀后的阻变部的侧壁充分钝化，减少刻蚀后的缺陷，限定导电通道区域，增加氧空位/氧离子向外迁移的势垒，提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。