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公开(公告)号：CN114551629A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210441131.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种紫外‑可见光波段可分辨光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域，紫外‑可见光波段可分辨光电探测器包括：衬底、光吸收复合层和光收集复合层，光收集复合层与光吸收复合层依次层叠设置在衬底上，光收集复合层用于收集光吸收复合层产生的载流子，以形成光电流；光吸收复合层包括依次层叠设置正极性光吸收层与负极性光吸收层，正极性光吸收层用于吸收可见光，产生的光电流方向为正，负极性光吸收层用于吸收紫外光，产生的光电流方向为负。本申请的紫外‑可见光波段可分辨光电探测器能实现紫外光和可见光的波段可分辨，结构简单、使用方便，在保密光通信等方向具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN118276618B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116598369B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310875967.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种低噪声单光子探测器及其制备方法，包括：衬底；钝化层，形成于衬底的第一表面；第一电荷层，形成于衬底内；第二电荷层，形成于衬底内且位于第一电荷层的背向钝化层的一侧，第二电荷层与第一电荷层接触，第一电荷层与第二电荷层的掺杂类型不同，第一电荷层和第二电荷层中的至少一个构造为适于束缚光生电荷，第一电荷层与第二电荷层中的至少一个的特征尺寸小于500nm；第一接触电极，第一接触电极与第一电荷层连接；第二接触电极，第二接触电极与衬底连接。根据本发明的低噪声单光子探测器，基于量子限制斯塔克效应，在光子入射前处于线性模式，在光子入射后触发雪崩效应，可以降低雪崩背景噪声，提高器件探测效率。
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公开(公告)号：CN116504866B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310777359.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种高时间分辨率单光子探测器及其制备方法，高时间分辨率单光子探测器包括：半导体基体，包括衬底和外延层；钝化层，形成于外延层的背向衬底的一侧；倍增层，形成于外延层内；第一欧姆接触层，形成于外延层内，第一欧姆接触层的两侧分别与倍增层和钝化层接触；第一欧姆接触电极，与钝化层同层布置，并与第一欧姆接触层连接；第二欧姆接触电极，与半导体基体连接。根据本发明的高时间分辨率单光子探测器，可以构建出弹道电场结构，为进入倍增层的载流子提供初始动能，变强场激发模式为利用弹道电场提高载流子动能的模式，在保证载流子碰撞概率的同时抑制散射随机性，保持低功耗、低噪声的高确定性输运，从而提高时间分辨率。
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公开(公告)号：CN116613237A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310648207.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/101 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种宽光谱硅单光子探测器及其制备方法，宽光谱硅单光子探测器包括硅衬底和位于硅衬底上的至少一个硅单光子探测单元，硅单光子探测单元包括第一欧姆接触电极、光吸收层、雪崩放大层和第二欧姆接触电极；雪崩放大层具有相对的第一表面和第二表面，第一欧姆接触电极和光吸收层位于第一表面一侧，第二欧姆接触电极位于第二表面一侧；光吸收层用于吸收不同波长的光子并且产生光生载流子；第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极用于与外电路电连接，以在雪崩放大层上施加强电场；雪崩放大层用于在强电场的作用下将光生载流子进行雪崩放大。本申请提供的宽光谱硅单光子探测器的工作波长较宽，且可以超过硅材料本身的工作波长。
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公开(公告)号：CN116504866A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310777359.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种高时间分辨率单光子探测器及其制备方法，高时间分辨率单光子探测器包括：半导体基体，包括衬底和外延层；钝化层，形成于外延层的背向衬底的一侧；倍增层，形成于外延层内；第一欧姆接触层，形成于外延层内，第一欧姆接触层的两侧分别与倍增层和钝化层接触；第一欧姆接触电极，与钝化层同层布置，并与第一欧姆接触层连接；第二欧姆接触电极，与半导体基体连接。根据本发明的高时间分辨率单光子探测器，可以构建出弹道电场结构，为进入倍增层的载流子提供初始动能，变强场激发模式为利用弹道电场提高载流子动能的模式，在保证载流子碰撞概率的同时抑制散射随机性，保持低功耗、低噪声的高确定性输运，从而提高时间分辨率。
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公开(公告)号：CN115084307B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210989618.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京邮电大学 , 无锡中微晶园电子有限公司 , 北京中盾安民分析技术有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层，雪崩层和第一欧姆接触层均位于衬底内，雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触，补偿层用于预补偿辐照损伤在衬底中感应的电荷。本发明的抗辐照加固单光子探测器结构简单、抗辐照损伤效果明显。
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