高压固态半导体开关器件及提高该电压利用率方法和应用

    公开(公告)号:CN113783173A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202110977779.2

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 高压固态半导体开关器件及提高该电压利用率方法和应用,包括高压固态半导体开关器件,所述每一个高压固态半导体开关器件的集电极与发射极之间并联一个模块化间隙避雷器;所述模块化间隙避雷器包括压敏电阻MOV与可击穿间隙串联组成。与现有半导体固态开关中由纯MOV构成的限压电路相比,本发明在保障固态半导体开关器件安全的前提下,与MOV串联的可击穿间隙可以在静态时额外分担一部分直流电压,从而提高固态半导体开关器件的额定直流电压VDC,有效提高器件电压利用率。在固态半导体开关器件的关断暂态,与MOV串联的可击穿间隙击穿并呈现低阻态,然后避雷器吸收故障能量并限制半导体开关器件电压,从而保护固态半导体开关器件。

    换流阀故障自穿越等效试验方法及其应用

    公开(公告)号:CN113671367A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202111001523.4

    申请日:2021-08-30

    Abstract: 本发明公开一种换流阀故障自穿越等效试验方法及其应用,包括以下步骤:对换流阀子模块进行充电直至试验回路进入稳态运行;利用电压源切换策略等效网侧故障;利用耗能支路投切策略等效集成耗能支路的换流阀的故障自穿越以及盈余功率消纳过程;利用电压源切换策略以及耗能支路投切策略完成换流阀故障自穿越后的恢复以及子模块电容的放电。本发明利用两个并联的电压源之间的切换实现了换流阀稳态与故障自穿越时不同受端电压的切换;利用耗能支路投切策略实现了换流阀的故障自穿越的等效;同时实现了试验回路故障自穿越到正常工作状态的恢复。

    面向半导体器件受VFTO侵扰的等效实验装置及方法

    公开(公告)号:CN119291429A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411397237.8

    申请日:2024-10-09

    Abstract: 一种面向半导体器件受VFTO侵扰的等效实验装置及方法,包括充电回路、实验回路和放电回路。其中,实验回路设有待实验半导体器件,待实验半导体器件处安装有电信号检测装置,且并联有换流阀子模块模拟模块和实验放电模块。换流阀子模块模拟模块的容性器件分别与充电回路和放电回路并联;实验放电模块充电回路和放电回路并联。本发明通过实验拓扑,搭建有效的实验装置,通过对应的实验方法可以在半导体器件的两端产生等效VFTO波形的电压波形,便于研究不同半导体器件在VFTO工况下的器件特性,解决了工程应用对实验的需求,整体结构简单、成本低,且便于搭建。

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