一种负压电平移位电路
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118677432A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202411012283.1

    申请日:2024-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种负压电平移位电路,包括钳位电路、电平移位主体电路、输出整形电路;所述钳位电路,设置为对输入电源VEE进行钳位;所述电平移位主体电路,设置为将输入的高低电平信号INN、INP转变为不同电平的输出;所述输出整形电路,设置为对所述电平移位电路输出信号进行整形输出。本发明所述的负压电平移位电路,结构简单容易实现并且输出稳定可以调节,响应速度快,精度高。

    一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器

    公开(公告)号:CN105743496B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201610060684.3

    申请日:2016-01-28

    Abstract: 本发明涉及一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器,采用具有高相位噪声性能的LC交叉耦合结构振荡器,并基于差分结构设计的自举型缓冲器,利用自举电路的原理,通过充电晶体管对自举电容充放电,在电源电压的基础上进行电压量叠加,从而将DCO振荡电路的输出信号进行放大,使输出摆幅达到两倍以上的电源电压值,在保证低功耗的前提下,提高了DCO振荡电路的相位噪声性能,解决了近阈值电源电压下DCO振荡电路功耗与相位噪声之间的矛盾关系。

    一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器

    公开(公告)号:CN105743496A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610060684.3

    申请日:2016-01-28

    CPC classification number: H03L7/0992

    Abstract: 本发明涉及一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器,采用具有高相位噪声性能的LC交叉耦合结构振荡器,并基于差分结构设计的自举型缓冲器,利用自举电路的原理,通过充电晶体管对自举电容充放电,在电源电压的基础上进行电压量叠加,从而将DCO振荡电路的输出信号进行放大,使输出摆幅达到两倍以上的电源电压值,在保证低功耗的前提下,提高了DCO振荡电路的相位噪声性能,解决了近阈值电源电压下DCO振荡电路功耗与相位噪声之间的矛盾关系。

    一种红外读出电路中的低功耗列读出级电路

    公开(公告)号:CN105391958A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510747069.5

    申请日:2015-11-05

    CPC classification number: H04N5/378 H04N5/3741 H04N5/3742

    Abstract: 一种红外读出电路中的低功耗列读出级电路,列读出级电路采用主从结构,主运放是由单级差分放大器构成的电荷灵敏放大器,实现电荷到电压的转换,从运放是单位增益缓冲器,每一列的主运放与从运放一一对应。本发明在第二列到最后一列的每一列增设与从运放一一对应的电压检测电路并对从运放电路进行改进,电压检测电路用于检测前一列和当前列的主运放的输出电压,并根据前一列和当前列的主运放输出电压差的大小产生与之成正比的控制信号,通过预测列输出总线摆幅来动态的调整从运放工作电流,显著的降低了列读出级的功耗。

    一种灌电流和拉电流产生电路

    公开(公告)号:CN102520757B

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201110448349.8

    申请日:2011-12-28

    Abstract: 一种灌电流和拉电流产生电路,包括电压-电流转换电路,将基准电压Vref转换成电流I1,产生第一偏置电压Vb1;稳定偏置电流产生电路,用来获得高稳定性的偏置电流,产生第二偏置电压Vb2;拉电流输出电路,利用PMOS管电流镜的原理产生PMOS拉电流的输出支路;灌电流输出电路,利用NMOS管电流镜的原理产生NMOS灌电流的输出支路。本发明直接采用系统中存在的基准电压Vref,利用Vref的高精度和低温漂的特点,获得同样高精度和低温漂的偏置电流,解决了一些电路设计中对偏置电流精度和温度系数高要求的问题。

    一种具有滞回特性的电源切换电路

    公开(公告)号:CN118554925A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410686638.9

    申请日:2024-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种具有滞回特性的电源切换电路,包括滞回模块、偏置模块、比较模块、开关组合以及使能控制电路;所述滞回模块,设置为对所述比较模块的输出信号产生电压迟滞量,避免在临界状态时产生振荡;所述偏置模块,设置为向所述比较模块提供偏置电流;所述比较模块,设置为由源端作为输入端的比较器结构;所述开关组合,设置为向输出信号VOUT切换较大的电源电压;所述使能控制电路,设置为在使能信号CE高电平有效时电源切换电路开始正常工作。本发明所设计的电源切换电路在工作电压较低的情况下,仍然保持稳定工作,且功耗低,响应速度快,精度高,翻转阈值电压可调、迟滞宽度可调。

    一种超低功耗的欠压保护电路
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118487220A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410582957.5

    申请日:2024-05-11

    Abstract: 本发明公开了一种超低功耗的欠压保护电路设计,涉及电源管理电路领域,该电路由耗尽管M1和M6以及其他增强管组成,耗尽管M1、M6采用栅源短接的接法提供稳定的电流偏置,通过增强管M5、M7和M8开启时的电源电压不同来产生迟滞效果;本发明的技术方案,通过阈值电压比较控制不同晶体管导通和关断从而实现电压翻转以及迟滞功能。该电路不需要其他模块提供基准偏置电压,而且避免使用电压比较器,简化电路的同时也减小了工艺失调对欠压保护模块精度与速度的影响,同时本发明使用全MOS晶体管实现,避免了使用电阻,减小了功耗,节省版图面积。本发明欠压保护电路结构简单易于实现,功耗低,并且实现欠压阈值、迟滞宽度可调,满足不同场景下的需求。

    一种CMOS振荡器电路
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116827268A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310775111.9

    申请日:2023-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种CMOS振荡器电路,包括振荡主体电路、输出缓冲电路;所述振荡主体电路,设置为由两支路共同产生振荡信号;所述输出缓冲电路,设置为对所述振荡主体电路输出信号进行整形输出。本发明振荡器电路结构简单容易实现,输出稳定,频率及占空比易于控制。

    一种自偏置结构的环形压控振荡器

    公开(公告)号:CN109995363A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910147973.0

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种自偏置结构的环形压控振荡器,包括自偏置单元和振荡器核心单元。自偏置单元包括输入偏置电路、运算放大器和半复制延迟电路,振荡器核心单元包括多级结构相同的差分延迟电路级联构成的反馈振荡环路,半复制延迟电路的结构与差分延迟电路的半边电路结构相同。输入偏置电路为运算放大器提供基准电压VREF,建立与电源电压无关的恒定偏置电压,通过调整差分延迟电路的尾电流改变输出频率,使得输出共模电平等于基准电压,解决了环形振荡器的工作频率随电源电压波动大和振荡器核心输出共模电平变化的问题,从而改善压控振荡器对电源噪声的抑制能力和稳定输出摆幅。

    一种芯片叠层结构参数的测量方法

    公开(公告)号:CN104658941B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201510089321.8

    申请日:2015-02-26

    Abstract: 本发明提供了一种芯片叠层结构参数的测试方法。它利用电容—电压测试仪测得芯片叠层结构的高频电容—电压曲线和低频电容—电压曲线,根据低频饱和值和高频饱和值分别测量该结构的绝缘层厚度与半导体掺杂浓度,根据低频电容—电压曲线的外加电压为零的点和特征极值点测量该结构的绝缘层固定电荷密度。采用此发明为评估三维集成中芯片叠层结构的可靠性提供了一个简单且非破坏性的表征方法。

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