-
公开(公告)号：CN101187015A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150228.9
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室异形电极。它的功率电极板在功率馈入端口附近设有对应的附加电极片，所述附加电极片平行于功率电极板水平面，所述附加电极片的厚度小于功率电极板，所述附加电极片连接在功率电极板的功率电极面的边缘。本发明的异形功率电极可以在任意激发频率和任意面积大小的PECVD反应室中采用。这种异形功率电极利用电极功率馈入端口的附加电极改变电极表面电流分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
-
公开(公告)号：CN101187014A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150227.4
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室电极。它包括功率电极板和功率馈入端口，所述功率电极板在功率电极面与功率电极馈入端口之间，设有电极槽。应用本发明的这种电极可获得具有均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室。本发明通过优化大面积甚高频功率源馈入方式、电极结构等，解决大面积电极板电位分布均匀性，是研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统的基础，这种刻槽式电极利用电极功率馈入端口沟槽分布改变电极表面电流的分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
-
公开(公告)号：CN113644167A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202111079745.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种用于隧穿氧钝化接触（TOPCon）晶硅太阳电池的激光退火制备多晶硅基合金方法，其具体制备过程为：沉积非晶硅基合金薄膜；利用激光扫描非晶硅基合金薄膜，使之退火形成多晶硅基合金薄膜薄膜；将上述样品放在退火炉里，并通入一定的含氢气体，在较高温度下保持一段时间进行补氢；在一次补氢后的样品沉积一定厚度Al2O3层；最后将上述样品再次放在退火炉中，在一定气氛中、一定温度下保持一段时间，进行二次补氢。本发明采用高能量密度的激光退火实现非晶硅基合金薄膜的快速晶化形成多晶硅合金薄膜，相对传统的热退火能够显著缩短退火时间，有利于提高生产效率，节约生产成本。
-
公开(公告)号：CN108183169B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201711453211.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学 , 天合光能股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
-
公开(公告)号：CN107681020A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710878335.7
申请日：2017-09-26
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/054
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L31/0547 , H01L31/1804 , H01L31/202 , H01L31/208
Abstract: 本发明提供一种提高平面硅异质结太阳电池长波长光响应的方法，该方法选取衬底S，两侧分别生长钝化层I，在衬底一侧沉积发射极P，另一侧沉积N作为平面硅异质结太阳电池的背场，P层上沉积透明电极ITO，最后电池两侧分别制作金属电极M1和M2。该方法采用的n型背场N因为具有低折射率和宽带隙的特性，不需引入复杂的绒面陷光结构即提高了平面硅异质结太阳电池的长波长光响应。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104593749A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510071882.5
申请日：2015-02-11
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明公开一种PECVD系统真空腔室中辉光放电时屏蔽干扰的方法，是在真空腔室内设有一矩形或圆形围护结构的屏蔽框，并具有辉光观察窗孔和良好的接地措施，可以有效地规避真空腔室内复杂结构和几何特征对辉光所带来的不良影响，将不规则的机械结构屏蔽在限定的辉光区域之外，即屏蔽了可能带来的尖端放电效应又收敛了辉光区域的扩散，增强辉光区域的稳定性和辉光颜色的均匀性，降低辉光功率的损耗，为沉积优质的层膜提供了保证。本发明适用于正方体形或圆柱体形的真空腔室，结构简单可靠，对整体设备布局和真空腔室内的结构不构成负面影响，辉光观察窗孔可以很方便地实时查视辉光状态，成本低，易于实施。
-
公开(公告)号：CN103337562A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310291907.3
申请日：2013-07-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/048 , H01L31/0224 , C23C14/22 , C23C14/14 , C23F1/36
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种宽光谱高透过、高绒度和低电阻的透明导电薄膜及其制备方法。该方法在ZnO薄膜表面沉积一层Al覆盖层，在高温下对薄膜进行退火处理，经过湿法腐蚀工艺处理后得到形成具有高电导、高透过率、宽光谱陷光的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。
-
公开(公告)号：CN102244081B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110186291.4
申请日：2011-07-05
Applicant: 南开大学
IPC: H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，由衬底、透明导电膜、p型掺杂窗口层P1、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅的本征层I1、n型掺杂层N1、p型掺杂窗口层P2、微晶硅本征层I2、n型掺杂层N2、ZnO层、金属Al层、EVA层、背板层依次组成叠层结构，其中P1-I1-N1非晶硅电池为顶电池，以P2-I2-N2微晶硅电池为底电池，并采用底电池电流限制结构。本发明优点是：在非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅制备的非晶硅材料，其光吸收系数和光敏性与常规非晶硅相近，由于在非晶网络中嵌入纳米硅晶粒，结构致密光衰退减小，并且采用底电池电流限制，匹配度好；该工艺制备过程简单，易于控制，电池的稳定性高。
-
公开(公告)号：CN102208477B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110137576.9
申请日：2011-05-26
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/0352 , H01L31/20 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，由玻璃衬底、透明导电膜、P1-I1-N1非晶硅电池、P2-I2-N2微晶硅电池、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层、ZnO层、Al层、EVA层和背板玻璃组成并依次组成叠层结构，其中以P1-I1-N1非晶硅电池作为顶电池，以P2-I2-N2微晶硅电池作为底电池，以ZnO和Al作为复合背电极。本发明的优点：存放在大气中的非晶硅顶电池在制备微晶硅底电池前，用H或Ar等离子体处理顶电池n层，可消除n层表面同大气中的氧气反应生成SiOx层；该制备工艺简单、易于控制、产品优良率高、电池转换效率高，可方便移植到现有的硅基薄膜电池生产线上，产品升级换代成本低，有利于推广。
-
公开(公告)号：CN102220565A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110156698.2
申请日：2011-06-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的化学气相沉积设备，包括镀膜装置和气体管路，镀膜装置包括镀膜室和装片室，镀膜室内设有衬底、加热器和带筛孔的气盒，装片室设有内部的层式样品架、侧面样品推动杆和顶部的层式样品架升降机构，镀膜室和装片室分别通过管道与真空泵组抽气管道连接；在O2/CO2、B2H6和Ar气携带H2O气或DEZn的气体管路中分别设有进、出口阀、流量计、水密封储罐和DEZn密封储罐并通过管道进入镀膜室。本发明的优点：该化学气相沉积设备，可对样品进行大面积的镀膜并实现源材料的多种选择，提高镀膜效率；可控制薄膜的具体生长过程，操作简单且可靠稳定，提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.02 seconds)
