一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110212078B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201910514858.2

    申请日:2019-06-14

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及光电子、半导体激光技术领域,特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法,其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底,半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上,半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题,且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料,金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性;金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备,工艺简单,所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容,满足大规模光电集成的需要。

    一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器

    公开(公告)号:CN219018128U

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202223453199.2

    申请日:2022-12-22

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器,包括:支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极,外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物;第二分布布拉格反射镜设置于N型氮化物的上表面中部,第二电极设置于N型氮化物的上表面两侧;P型氮化物的下方两侧设置有辐照区,由高能粒子辐照形成电流限制层,中部设置有非辐照区,透明导电层设置于非辐照区下表面,第一分布布拉格反射镜设于透明导电层下表面,第一电极包覆于第一分布布拉格反射镜和透明导电层的外表面及电流限制层的下表面,支撑基板设于第一电极下表面。本实用新型工艺简单,散热性好。

    一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件

    公开(公告)号:CN220456887U

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202322132069.7

    申请日:2023-08-09

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件,包括:依次设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极;第二反射镜设于外延层的上表面中部,第二电极设于外延层的上表面两侧;透明导电层设于外延层的下表面中部,电流限制层设于外延层的下表面两侧;第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构,介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部,金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面。本实用新型在不影响反射率的同时减少介质膜DBR对数,降低器件热阻。

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