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公开(公告)号：CN101315348A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810050890.1
申请日：2008-06-27
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明属于检测技术领域，具体涉及一种通过附加微量进气枪实现气体传感器及催化反应在线测试的电子能谱仪。其由真空反应室(20)、提供满足测试要求真空度的超高真空系统(21)、提供合适样品温度的变温样品台(22)、提供激发样品所需的合适粒子的激发源(23)、用于分辨不同能量光电子的能量分析器(24)、用于数据采集和分析的数据采集系统(25)和在真空反应室上附加的微量进气枪(26)组成。本发明提供了一种适合半导体气敏反应和催化反应的在线电子能谱分析方法，是半导体传感技术、催化技术与变温电子能谱技术的完美结合，既拓展了电子能谱的使用范围，又为研究半导体传感技术、催化技术的反应机理提供了新的研究方法。
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公开(公告)号：CN1223877C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02109755.0
申请日：2002-05-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种可发出各种色调的可调彩色照明装置。它是在一个暗箱中组合三个不同颜色的光源：第一光源(1)、第二光源(2)、第三泵浦光束(3)，通过半反半透镜的透射或反射，将上述三个光源的光会聚于一个变焦镜头，从变焦镜头中发射出各种色调的混合光。该装置结构简单、易于制作，使用操作简便可靠、混合光效果优良、色彩丰富可调，可广泛适用于艺术造型、装潢、舞台设计、摄影等各种照明。
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公开(公告)号：CN110911270B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911263522.X
申请日：2019-12-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量氧化镓(Ga2O3)薄膜及其同质外延生长方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由β‑Ga2O3单晶衬底、低温Ga2O3薄膜层、温度渐变Ga2O3薄膜层和高温Ga2O3薄膜层组成。各Ga2O3薄膜层均由高温MOCVD工艺外延生长得到。低温Ga2O3薄膜层以β‑Ga2O3单晶为衬底，避免了衬底和薄膜的晶格失配，同时插入温度渐变Ga2O3薄膜层能够降低单晶衬底中缺陷对薄膜的影响，并抑制薄膜外延生长过程中缺陷的产生，进而有效提高薄膜晶体质量。本发明解决了高质量Ga2O3薄膜材料的外延生长问题，克服了目前Ga2O3异质与同质外延生长晶体质量差，影响Ga2O3基功率器件性能的问题，为今后Ga2O3基功率器件的制备打下坚实的基础。
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公开(公告)号：CN101740397A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910218082.6
申请日：2009-12-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种氧化锌(ZnO)基薄膜晶体管(TFT)的金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备方法。ZnO基薄膜晶体管由衬底、栅极、绝缘层、ZnO基有源沟道层以及源电极、漏电极构成，绝缘层和ZnO基有源沟道层全部采用MOCVD技术完成材料生长，相对于其它外延技术，其制备的半导体材料质量较高。在MOCVD生长设备中一次完成各层材料生长，可大大简化材料生长工艺，同时能够实现各层半导体材料厚度的精确控制。本发明提出了采用适合工业化生产MOCVD设备生长ZnO基薄膜晶体管的一种工艺方法，解决了其它方法制备ZnO质量不高等关键问题，进而制备出具有较高质量的ZnO基TFT。
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公开(公告)号：CN110911270A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911263522.X
申请日：2019-12-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量氧化镓(Ga2O3)薄膜及其同质外延生长方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由β-Ga2O3单晶衬底、低温Ga2O3薄膜层、温度渐变Ga2O3薄膜层和高温Ga2O3薄膜层组成。各Ga2O3薄膜层均由高温MOCVD工艺外延生长得到。低温Ga2O3薄膜层以β-Ga2O3单晶为衬底，避免了衬底和薄膜的晶格失配，同时插入温度渐变Ga2O3薄膜层能够降低单晶衬底中缺陷对薄膜的影响，并抑制薄膜外延生长过程中缺陷的产生，进而有效提高薄膜晶体质量。本发明解决了高质量Ga2O3薄膜材料的外延生长问题，克服了目前Ga2O3异质与同质外延生长晶体质量差，影响Ga2O3基功率器件性能的问题，为今后Ga2O3基功率器件的制备打下坚实的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022898B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310011755.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法。其芯片由硅衬底、近本征的ZnO发光层、n型的MgZnO电流注入层和半透明的电极层构成；硅衬底背面沉积有欧姆接触电极层。MgZnO薄膜既作为电子注入层，又作为发射光的透明窗口层。其特征在于，在硅衬底和近本征的ZnO发光层之间引入图形化的SiO2电流限制层，该电流限制层可以大大降低激光器的阈值电流，提高器件的光电转换效率。本发明方法可以制备低阈值的电泵浦激光器件，并且可与成熟的硅器件工艺兼容，成本较低，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN102064250B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010554940.7
申请日：2010-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InxGa1-xN盖层5、上电极6，下电极7构成，特征在于：上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型InyGa1-yN位相匹配层8，衬底1是n型SiC单晶衬底，在衬底1下面制备一层ZnO薄膜9或再制备一层ZnO纳米线11，电极7只是覆盖5％～20％面积制备在衬底1下面。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN101740397B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910218082.6
申请日：2009-12-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种氧化锌(ZnO)基薄膜晶体管(TFT)的金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备方法。ZnO基薄膜晶体管由衬底、栅极、绝缘层、ZnO基有源沟道层以及源电极、漏电极构成，绝缘层和ZnO基有源沟道层全部采用MOCVD技术完成材料生长，相对于其它外延技术，其制备的半导体材料质量较高。在MOCVD生长设备中一次完成各层材料生长，可大大简化材料生长工艺，同时能够实现各层半导体材料厚度的精确控制。本发明提出了采用适合工业化生产MOCVD设备生长ZnO基薄膜晶体管的一种工艺方法，解决了其它方法制备ZnO质量不高等关键问题，进而制备出具有较高质量的ZnO基TFT。
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公开(公告)号：CN1396478A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02109755.0
申请日：2002-05-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种可发出各种色调的可调彩色照明装置。它是在一个暗箱中组合三个不同颜色的光源，通过半反半透镜的透射或反射，将三个光源的光会聚于一个变焦镜头，从变焦镜头中发射出各种色调的混合光。该装置结构简单、易于制作，使用操作简便可靠、混合光效果优良、色彩丰富可调，可广泛适用于艺术造型、装潢、舞台设计、摄影等各种照明。
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公开(公告)号：CN2549316Y
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02273231.4
申请日：2002-05-20
Applicant: 吉林大学
IPC: F21S10/02 , F21V13/00 , F21V14/00 , F21W131/105 , F21Y113/00
Abstract: 本实用新型提供了一种可发出各种色调的可调彩色照明装置。它是在一个暗箱中组合三个不同颜色的光源，通过半反半透镜的透射或反射，将三个光源的光会聚于一个变焦镜头，从变焦镜头中发射出各种色调的混合光。该装置结构简单、易于制作，使用操作简便可靠、混合光效果优良、色彩丰富可调，可广泛适用于艺术造型、装潢、舞台设计、摄影等各种照明。
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